事業案内 公開特許情報

1991年出願 公開特許情報

2019年9月23日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
HN009 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 日本国
H03-342448 91-11-30 H05-152221 93-06-18 99-10-08
H0310 電解効果トランジスタ アメリカ合衆国
782,789 91-10-24 96-12-17
K206-930 生体近傍アンテナの解析支援方法およびその方法によるアンテナ設計支援装置 日本国
H03261823 91-10-09 H05095931 93-04-20 01-03-30
H0003 切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタ集積回路 日本国
H03-243139 91-09-24 H05-102408 93-04-23 96-12-06
H0002 切り込み型絶縁ゲート静電誘導トランジスタの製造方法 日本国
H03-243140 91-09-24 H05102486 93-04-23 96-11-21
HN008 化合物結晶のエピタキシャル成長方法及びそのドーピング方法 日本国
H03-202256 91-07-18 H06124900 94-05-06 98-09-04
HN006 識別用発光装置 日本国
H03-198265 91-07-15 H05020552 93-01-29 97-09-19
K201-925 シリカガラスの製法 日本国
H03093459 91-03-30 H04305031 92-10-28
K199-925 高強度けい酸繊維の製法 日本国
H03087146 91-01-25 H05000824 93-01-08
K198-925 高けい酸質ガラスの製法 日本国
H03087144 91-01-25 H04349126 92-12-03
K197-925 けい酸ソーダ水溶液の製法 日本国
H03-087145 91-01-25 H05078119 93-03-30 02-06-28
HN002 化合物結晶のエピタキシャル成長におけるドーピング方法 ドイツ連邦共和国
91100544.5 91-01-18 96-04-03
HN002 化合物結晶のエピタキシャル成長におけるドーピング方法 イギリス
91100544.5 91-01-18 96-04-03
HN002 化合物結晶のエピタキシャル成長におけるドーピング方法 ヨーロッパ特許庁
91100544.5 91-01-18 96-04-03
H0302 PWM電力変換装置 アメリカ合衆国
640,114 91-01-11 92-12-29
H0303 アメリカ合衆国
640,082 91-01-11 93-07-13
H0001 静電誘導形半導体素子とその製造方法 日本国
H03-044519 91-01-09 H04355966 92-12-09 96-05-23

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出願日別公開特許情報

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