事業案内 公開特許情報

1992年公開 公開特許情報

2019年4月24日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
H0001 静電誘導形半導体素子とその製造方法 日本国
H03-044519 91-01-09 H04355966 92-12-09 96-05-23
K198-925 高けい酸質ガラスの製法 日本国
H03087144 91-01-25 H04349126 92-12-03
K201-925 シリカガラスの製法 日本国
H03093459 91-03-30 H04305031 92-10-28
K222-939 坑井掘削中の放出弾性波の三次元粒子運動解析による地下構造評価方法 日本国
H02-336504 90-11-30 H04203196 92-07-23 98-08-21
K202-826 珪酸カルシウム成形体の製造方法及びその装置 日本国
H02336348 90-11-30 H04202048 92-07-22
HN005 半導体ラマンレーザ 日本国
H02-274111 90-10-13 H04150083 92-05-22 97-05-02
K021-123 選択的位置にベンゾ置換した可溶性フタロシアニン錯体の製造方法 日本国
H02-023627 90-08-24 H04106159 92-04-08 95-12-08
HN003 半導体デバイス及びその製造方法 日本国
H02-020608 90-01-31 H04-082275 92-03-16 96-06-24

公開日別公開特許情報

出願日別公開特許情報

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