事業案内
公開特許情報
1992年出願 公開特許情報
2019年12月8日現在
管理番号 | 発明の名称 | 国名 | |||
---|---|---|---|---|---|
出願番号 | 出願日 | 公開番号 | 公開日 | 登録日 | |
HN010 | 結晶面異方性ドライエッチング方法 | ドイツ連邦共和国 | |||
92120875.7 | 92-12-08 | 546493 | 93-06-16 | 99-06-23 | |
HN010 | 結晶面異方性ドライエッチング方法 | イギリス | |||
92120875.7 | 92-12-08 | 546493 | 93-06-16 | 99-06-23 | |
HN010 | 結晶面異方性ドライエッチング方法 | ヨーロッパ特許庁 | |||
92120875.7 | 92-12-08 | 546493 | 93-06-16 | 99-06-23 | |
K024-154 | キラルなフタロシアニン誘導体の希土類錯体およびその製造方法 | 日本国 | |||
H04320647 | 92-11-30 | H06157535 | 94-06-03 | 96-03-28 | |
HN009 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 | アメリカ合衆国 | |||
983,331 | 92-11-30 | 93-10-19 | |||
HN009 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 | イギリス | |||
92120034.1 | 92-11-25 | 99-02-24 | |||
HN009 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 | ドイツ連邦共和国 | |||
92120034.1 | 92-11-25 | 99-02-24 | |||
HN009 | 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 | ヨーロッパ特許庁 | |||
92120034.1 | 92-11-25 | 99-02-24 | |||
K211-933 | 高強度マグネシウム基合金及び該合金の製造方法 | 日本国 | |||
H04303952 | 92-11-13 | H63016740 | 94-11-15 | ||
HN003 | 半導体デバイス及びその製造方法 | アメリカ合衆国 | |||
965,722 | 92-10-23 | 94-03-22 | |||
HN003 | 半導体デバイス及びその製造方法 | アメリカ合衆国 | |||
409684 | 92-10-23 | 96-07-02 | |||
H0004 | MOS複合静電誘導サイリスタ | アメリカ合衆国 | |||
947,939 | 92-09-21 | 94-06-21 | |||
K030-034 | インスリノーマで特異的に発現している遺伝子のコード蛋白質 | 日本国 | |||
H04291630 | 92-08-22 | H05320195 | 93-12-03 | 97-09-26 | |
K200-925 | 水ガラス繊維の連続的製造方法 | 日本国 | |||
H04222937 | 92-08-21 | H06064935 | 94-03-08 | ||
P05010601-00JP00 | 水中水噴流を利用する加工方法 | 日本国 | |||
H04203962 | 92-07-30 | H06047667 | 94-02-22 | 99-01-22 | |
K207-931 | X線をプローブとする分析法用薄膜測定試料調製法および当該方法により調整された薄膜測定試料 | 日本国 | |||
H04121774 | 92-05-14 | H05312698 | 93-11-22 | 00-05-12 | |
H0304 | GaAs単結晶引き上げ装置 | アメリカ合衆国 | |||
873,985 | 92-04-27 | 93-08-31 | |||
K215-936 | メチシリン耐性黄色ブドウ球菌の検出方法 | 日本国 | |||
H04129956 | 92-04-23 | H05249119 | 93-09-28 | ||
K023-318 | 過酸化水素の副生成が抑制された変異型シトクロムP-450dおよび-原子酸素添加方法 | 日本国 | |||
H04096605 | 92-04-16 | H05292959 | 93-11-09 | 96-03-13 | |
K212-934 | 高力耐熱アルミニウム基合金及びその製造方法 | 日本国 | |||
H04602444 | 92-03-18 | H62093932 | 94-10-21 | ||
H0005 | 静電誘導デバイス | 日本国 | |||
H04-081374 | 92-03-04 | H05-251689 | 93-09-28 | 96-04-16 | |
H0200 | 半導体メモリ | アメリカ合衆国 | |||
839,704 | 92-02-24 | 99-03-16 | |||
H0004 | MOS複合静電誘導サイリスタ | 日本国 | |||
H04-025637 | 92-01-16 | H05-190840 | 93-07-30 | 96-10-02 |
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