事業案内 公開特許情報

1992年出願 公開特許情報

2019年7月19日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
HN010 結晶面異方性ドライエッチング方法 ドイツ連邦共和国
92120875.7 92-12-08 546493 93-06-16 99-06-23
HN010 結晶面異方性ドライエッチング方法 イギリス
92120875.7 92-12-08 546493 93-06-16 99-06-23
HN010 結晶面異方性ドライエッチング方法 ヨーロッパ特許庁
92120875.7 92-12-08 546493 93-06-16 99-06-23
K024-154 ｷﾗﾙなﾌﾀﾛｼｱﾆﾝ誘導体の希土類錯体およびその製造方法 日本国
H04320647 92-11-30 H06157535 94-06-03 96-03-28
HN009 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 アメリカ合衆国
983,331 92-11-30 93-10-19
HN009 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 イギリス
92120034.1 92-11-25 99-02-24
HN009 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 ドイツ連邦共和国
92120034.1 92-11-25 99-02-24
HN009 半導体結晶のエピタキシャル成長方法 ヨーロッパ特許庁
92120034.1 92-11-25 99-02-24
K211-933 高強度ﾏｸﾞﾈｼｳﾑ基合金及び該合金の製造方法 日本国
H04303952 92-11-13 H63016740 94-11-15
HN003 半導体デバイス及びその製造方法 アメリカ合衆国
965,722 92-10-23 94-03-22
HN003 半導体デバイス及びその製造方法 アメリカ合衆国
409684 92-10-23 96-07-02
H0004 ＭＯＳ複合静電誘導サイリスタ アメリカ合衆国
947,939 92-09-21 94-06-21
K030-034 ｲﾝｽﾘﾉｰﾏで特異的に発現している遺伝子のｺｰﾄﾞ蛋白質 日本国
H04291630 92-08-22 H05320195 93-12-03 97-09-26
K200-925 水ガラス繊維の連続的製造方法 日本国
H04222937 92-08-21 H06064935 94-03-08
P05010601-00JP00 水中水噴流を利用する加工方法 日本国
H04203962 92-07-30 H06047667 94-02-22 99-01-22
K207-931 X線をプローブとする分析法用薄膜測定試料調製法および当該方法により調整された薄膜測定試料 日本国
H04121774 92-05-14 H05312698 93-11-22 00-05-12
H0304 GaAs単結晶引き上げ装置 アメリカ合衆国
873,985 92-04-27 93-08-31
K215-936 メチシリン耐性黄色ブドウ球菌の検出方法 日本国
H04129956 92-04-23 H05249119 93-09-28
K023-318 過酸化水素の副生成が抑制された変異型ｼﾄｸﾛﾑP-450ｄおよび-原子酸素添加方法 日本国
H04096605 92-04-16 H05292959 93-11-09 96-03-13
K212-934 高力耐熱ｱﾙﾐﾆｳﾑ基合金及びその製造方法 日本国
H04602444 92-03-18 H62093932 94-10-21
H0005 静電誘導デバイス 日本国
H04-081374 92-03-04 H05-251689 93-09-28 96-04-16
H0200 半導体メモリ アメリカ合衆国
839,704 92-02-24 99-03-16
H0004 ＭＯＳ複合静電誘導サイリスタ 日本国
H04-025637 92-01-16 H05-190840 93-07-30 96-10-02

公開日別公開特許情報

出願日別公開特許情報

問合せ先

産学連携機構　総合連携推進部 ワンストップサービス窓口

TEL: 022-795-5275
お問合せ