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事業案内 公開特許情報

1999年出願 公開特許情報

2019年12月11日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
P20060320 埋設物検出システム、埋設物検出方法および埋設物検出装置 日本国
H11372906 99-12-28 2001-183470 01-07-06 09-02-06
K069-373 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 日本国
H11347522 99-12-07 2001-167419 01-06-22
K068-372 慢性肺気腫の発症するリスクを予測するデータを収集する方法 日本国
H11334248 99-11-25 2001-149078 01-06-05 03-11-14
K067-371 高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ 日本国
H11269885 99-09-24 2001-093273 01-04-06 02-05-31
K064-366 薄膜トランジスタを有するアナログメモリ 日本国
H11252713 99-09-07 2001-077369 01-03-23
K066-369 含フッ素モノマーおよびその合成方法 日本国
H11-250346 99-09-03 2001-072624 01-03-21 05-01-07
K048-370 3次元周期構造体およびその製造方法 日本国
H11247181 99-09-01 2001-077345 01-03-23 01-10-05
K065-368 フラーレン-カルボランリジッドロッドハイブリッド化合物およびその合成方法 日本国
H11-237028 99-08-24 2001-066651 01-03-16 02-06-21
H0038 エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 日本国
H11219038 99-08-02 2000-195850 00-07-14
H0037 結晶成長方法及び結晶成長装置 日本国
H11211339 99-07-26 2001-039795 01-02-13
K056-353 温度計測素子、およびこれを用いる温度計測方法 日本国
H11-202422 99-07-16 2001-033317 01-02-09 02-08-02
K051-343 補強材と安定化剤とを兼ねた超伝導磁石の製造方法 アメリカ合衆国
09/353,412 99-07-15 02-10-22
K047-367 無灰炭の製造方法 日本国
H11-199034 99-07-13 2001-026791 01-01-30 01-06-15
K061-363 ビッター型の低温抵抗磁石の使用方法 日本国
H11192643 99-07-07 2001-023813 01-01-26 05-08-12
K060-362 ドライエッチング方法及びその装置 日本国
H11173678 99-06-21 2001-003185 01-01-09 02-12-13
K041-350 フッ化リチウムカルシウムアルミニウム単結晶およびその製造方法 日本国
H11166708 99-06-14 2000-351695 00-12-19 00-07-21
K040-349 フッ化物バルク単結晶の製造方法 日本国
H11167116 99-06-14 2000-351696 00-12-19 00-05-12
K045-351 フッ化バリウムリチウム単結晶およびその製造方法 日本国
H11167117 99-06-14 2000-351697 00-12-19 01-03-16
K058-357 磁気記録媒体の製造方法 日本国
H11118298 99-04-26 2000-311329 00-11-07 02-07-19
K043-357 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 日本国
H11110363 99-04-19 2000-306228 00-11-02 00-12-22
K224-942 半導体デバイス 日本国
H11082043 99-03-25 2000-277534 00-10-06 03-04-25
K053-345 量子閉じ込め構造を有する素子 日本国
H11067832 99-03-15 2000-269442 00-09-29 03-06-13
K042-354 電界放射陰極およびそれを用いる電磁波発生装置 日本国
H11-042845 99-02-22 2000-243219 00-09-08 00-08-25
K055-348 プラスチック混合廃棄物の処理方法 日本国
H11-041271 99-02-19 2000-239434 00-09-05 99-11-19
K054-347 プラスチック混合廃棄物の処理方法 日本国
H11-041272 99-02-19 2000-239435 00-09-05 02-02-01
K046-355 KNbO3圧電素子 日本国
H11032748 99-02-10 2000-232331 00-08-22 01-06-15
H0035 半導体素子製造方法および処理装置 日本国
H11029841 99-02-08 2000-228440 00-08-15
H0034 半導体素子製造方法 日本国
H11025759 99-02-03 2000-223428 00-08-11
K035-088 L-パラボロノフェニルアラニンの製造方法 ドイツ連邦共和国
19900172.3 99-01-05 00-05-25

公開日別公開特許情報

出願日別公開特許情報

問合せ先

産学連携機構 総合連携推進部 ワンストップサービス窓口

TEL: 022-795-5275
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