事業案内 公開特許情報

2000年出願 公開特許情報

2019年7月19日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
K082-386 硫化物触媒を用いた一酸化炭素の水素化法 アメリカ合衆国
09/749,544 00-12-28 03-08-12
K018-392 半超伝導ビッター板の製造方法、及び半超伝導ビッター板部材の製造方法 日本国
2000-392745 00-12-25 2002-197929 05-07-12
K085-389 トランスポーター活性を有するポリペプチド及び当該ペプチドをコードする遺伝子 日本国
2000-368601 00-12-04 2002-171980 02-06-18
K068-372 慢性肺気腫の発症するリスクを予測するデータを収集する方法 アメリカ合衆国
09/717,041 00-11-22 02-08-20
K076-380 一酸化炭素の水素化反応触媒および水素化生成物の製造方法 アメリカ合衆国
09/657,905 00-09-08 02-06-25
K084-388 半導体デバイス 日本国
2000-270377 00-09-06 2002-083781 02-03-22
K225-943 半導体デバイス 日本国
2000-264885 00-09-01 2002-076356 02-03-15 08-03-07
K063-365 サブバンド間発光素子 アメリカ合衆国
09/649,515 00-08-29 01-11-05
K072-377 CMOS多数決回路 アメリカ合衆国
06/637,241 00-08-14 01-11-20
K075-379 新規なシクロブタン誘導体及びその合成法 日本国
2000-229179 00-07-28 2002-047215 02-02-12 05-09-16
K083-387 歪みを有するチャンネル層を含むMOS型FET装置(旧:半導体装置) 日本国
2000-222807 00-07-24 2002-043576 02-02-08
K082-386 硫化物触媒を用いた一酸化炭素の水素化法 日本国
2000-202390 00-07-04 2002-020767 02-01-23 05-01-07
K081-385 触媒活性評価装置 日本国
2000-188728 00-06-23 2002-005918 02-01-09 03-01-24
K057-354 電界放射陰極およびそれを用いる電磁波発生装置 日本国
2000-185569 00-06-21 2001-035535 01-02-09
K190-921 水溶性有機化合物捕捉剤及び捕捉方法 日本国
2000-164040 00-06-01 2001-342152 01-12-11
K067-371 高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ アメリカ合衆国
09/580,634 00-05-30 02-01-15
K063-365 サブバンド間発光素子 日本国
2000-060542 00-05-25 2001-144382 01-05-25 03-03-28
K245-962 ポジトロンCT装置 日本国
2000-095238 00-03-29 2001-281341 01-10-10 09-05-29
K169-901 球面上の弾性波の発生法 日本国
2000-088252 00-03-28 2001-272381 01-10-05 05-12-22
K077-381 アンモニアガスの分解方法 日本国
2000-072196 00-03-15 2001-261302 01-09-26 04-02-13
K080-384 インドール化合物の製造方法 日本国
2000-070596 00-03-14 2001-261641 01-09-26 02-07-05
K079-383 アリルフラン化合物の製造方法 日本国
2000-070419 00-03-14 2001-261667 01-09-26 02-03-01
K189-921 環状フェノール硫化物を用いる希土類金属イオンの分析法 日本国
2000-067832 00-03-10 2001-522573 01-09-21
K076-380 一酸化炭素の水素化反応触媒および水素化生成物の製造方法 日本国
2000-064874 00-03-09 2001-246256 01-09-11 03-03-14
K078-382 フラーレン-カルボランリジッドロッドハイブリッド化合物およびその合成方法 日本国
2000-063680 00-03-08 2001-247577 01-09-11 04-04-16
K059-358 スピン偏極伝導電子生成方法および半導体素子 日本国
2000-061721 00-03-07 2001-250998 01-09-14 02-03-08
K042-354 電界放射陰極およびそれを用いる電磁波発生装置 アメリカ合衆国
09/506,924 00-02-18 01-12-04
K072-377 CMOS多数決回路 日本国
2000-038280 00-02-16 2001-230665 01-08-24 02-04-19
K062-364 核スピン制御素子及びその制御方法 日本国
2000-037362 00-02-16 2001-230404 01-08-24 03-05-16
K073-378 積層構造体 日本国
2000-020204 00-01-28 2001-209189 00-08-03
K074-378 積層構造体の製造方法 日本国
2001-086174 00-01-28 2001-290283 01-10-19
K071-376 被処理ガスの浄化方法 日本国
2000-015922 00-01-25 2001-205050 01-07-31
K070-375 水素化処理触媒製造用含浸液および水素化処理触媒の製造方法 日本国
2000-009120 00-01-18 2001-198471 01-07-24

公開日別公開特許情報

出願日別公開特許情報

問合せ先

産学連携機構 総合連携推進部 ワンストップサービス窓口

TEL: 022-795-5275
お問合せ