事業案内 公開特許情報

2001年出願 公開特許情報

2019年9月23日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
K269-990-01 相浦型MIS装置 日本国
2009-000368 01-12-13 2009-141376 09-06-25
K269-990 相補型MIS装置 日本国
2001-380534 01-12-13 2003-188273 03-07-04 09-02-27
K269-990-02 相補型MIS装置の製造方法 日本国
2013-035741 01-12-13 2013-153176 13-08-08 14-06-06
K094-399 ｲｯﾄﾘｳﾑ系高温超伝導ﾃーﾌﾟの製造方法 アメリカ合衆国
09/995,409 01-11-26 03-05-27
K171-903 ｴｯﾁﾝｸﾞ方法 日本国
2001-353809 01-11-19 2003-158099 03-05-30 08-02-01
K241-958 直腸開閉に使用する人工肛門括約筋 日本国
2001-350091 01-11-15 2003-144539 03-05-20 08-12-05
K098-402 ｽﾋﾟﾝﾌｨﾙﾀ 日本国
2001-346909 01-11-13 2003-152173 03-05-23 06-08-04
K188-920 有機廃棄物の処理方法及び酢酸製造方法 日本国
2001-346651 01-11-12 2003-145090 03-05-20 07-08-24
K108-412 応力腐食割れ評価装置及び応力腐食割れ評価方法 日本国
2001-320552 01-10-18 2003-121582 03-04-23
K105-409 液体拡散係数の測定方法 日本国
2001-298343 01-09-27 2003-106974 03-04-09 03-11-14
K107-411 B2型金属間化合物およびその製造方法 日本国
2001-293653 01-09-26 2003-105460 03-04-09 04-03-26
K102-406 微粒子捕集装置及びﾌﾟﾗｽﾞﾏ処理装置 日本国
2001-280413 01-09-14 2003-080017 03-03-18 04-05-14
K104-408 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 日本国
2001-278057 01-09-13 2003-086835 03-03-20 05-09-30
H0046 光増幅器 日本国
2001-270090 01-09-06 2003-075875 03-03-12
K103-407 ｵｷｼﾄｼﾝ受容体欠損ﾏｳｽ及びその利用方法 日本国
2001-267359 01-09-04 2003-070378 03-03-11 05-07-15
K087-393 ＳｉＣ膜の製造方法及びＳｉＣ多層膜構造の製造方法 カナダ
2356229　 01-08-29 04-10-26
K087-393 ＳｉＣ膜の製造方法及びＳｉＣ多層膜構造の製造方法 アメリカ合衆国
09/938,584 01-08-27 2002/102862 02-08-01 03-05-20
H0045 信号変換集積回路 日本国
2001-250588 01-08-21 2003-060062 03-02-28
H0044 光導波路素子、半導体ラマン光増幅器及び光増幅装置 日本国
2001-236438 01-08-03 2003-043530 03-02-13
K101-405 位相の周期偏位によるﾃﾞｨｼﾞﾀﾙﾃﾞーﾀの埋めこみ・検出装置 日本国
2001-236698 01-08-03 2003-044067 03-02-14
K100-404 ２次元放射線分布測定方法 日本国
2001-223409 01-07-24 2003-035683 03-02-07 04-09-17
K099-403 金属硫化物触媒を用いた一酸化炭素の水素化法 日本国
2001-217017 01-07-17 2003-027064 03-01-29 05-11-25
H0043 結晶成長法及びpn接合の形成方法 日本国
2001-196940 01-06-28 2003-017423 03-01-17
K095-400 磁気記録媒体の製造方法 日本国
2001-192638 01-06-26 2003-006853 03-01-10 04-01-09
K096-400 磁気記録媒体の製造方法 日本国
2003-378636 01-06-26 2004-111050 04-04-08
K084-388 半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽ アメリカ合衆国
10/222,777 01-05-30 2004/33686 04-02-19 04-10-05
K084-388 半導体ﾃﾞﾊﾞｲｽ アメリカ合衆国
09/866,695 01-05-30 03-09-16
K093-398 合成ｶﾞｽ製造用触媒及びﾊﾞｲｵﾏｽから合成ｶﾞｽへの変換方法 日本国
2001-159346 01-05-28 2002-346388 02-12-03
K191-921 金イオン及びパラジウムイオンの分離回収方法 日本国
2001-153455 01-05-23 2002-348620 02-12-04
H0042 結晶成長法 日本国
2001-152745 01-05-22 2002-338400 02-11-27
H0071 テラヘルツ光発生デバイス及びテラヘルツ光発生方法 日本国
2001-149466 01-05-18 2002-341392 02-11-27 11-06-24
K287-009 熱遮蔽皮膜被覆部材並びに溶射用粉体 日本国
2001-145611 01-05-15 2002-339052 02-11-27 05-07-22
K094-399 ｲｯﾄﾘｳﾑ系高温超伝導ﾃーﾌﾟの製造方法 日本国
2001-139490 01-05-10 2002-343161 02-11-29
Ｈ0041 平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法 日本国
2001-133137 01-04-27 2002-329859 02-11-15
Ｈ0040 縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法 日本国
2001-133136 01-04-27 2002-329871 02-11-15
K091-397 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 日本国
2001-090713 01-03-27 2002-289887 02-10-04 03-09-19
K172-904 中性粒子ﾋﾞｰﾑ処理装置 日本国
2001-088859 01-03-26 2002-289581 02-10-04 07-11-22
H0039 酸化絶縁膜の形成方法 日本国
2001-088397 01-03-26 2002-289613 02-10-04
K077-381 ｱﾝﾓﾆｱｶﾞｽの分解方法 アメリカ合衆国
09/802,927 01-03-12 03-04-29
K090-396 ｲｵﾝ性液体中でのPd/c触媒を用いたHeck反応 日本国
2001-065162 01-03-08 2002-265394 02-09-18 04-04-09
K059-358 ｽﾋﾟﾝ偏極伝導電子生成方法および半導体素子 アメリカ合衆国
09/799,722 01-03-07 02-11-19
K062-364 核スピン制御素子及びその制御方法 アメリカ合衆国
09/777,366 01-02-12 03-09-02
K086-390 ＭＯＳ型電界効果ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ 日本国
2001-034263 01-02-09 2002-237590 02-08-23
K087-393 ＳｉＣ膜の製造方法及びＳｉＣ多層膜構造の製造方法 日本国
2001-025523 01-02-01 2002-234799 02-08-23 04-05-28
K089-395 プリオン病感染因子のスクリーニング方法 日本国
2001-024279 01-01-31 2002-228665 02-08-14 03-04-25

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