事業案内 公開特許情報

2002年公開 公開特許情報

2019年4月24日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
K191-921 金イオン及びパラジウムイオンの分離回収方法 日本国
2001-153455 01-05-23 2002-348620 02-12-04
K093-398 合成ガス製造用触媒及びバイオマスから合成ガスへの変換方法 日本国
2001-159346 01-05-28 2002-346388 02-12-03
K094-399 イットリウム系高温超伝導テープの製造方法 日本国
2001-139490 01-05-10 2002-343161 02-11-29
K287-009 熱遮蔽皮膜被覆部材並びに溶射用粉体 日本国
2001-145611 01-05-15 2002-339052 02-11-27 05-07-22
H0071 テラヘルツ光発生デバイス及びテラヘルツ光発生方法 日本国
2001-149466 01-05-18 2002-341392 02-11-27 11-06-24
H0042 結晶成長法 日本国
2001-152745 01-05-22 2002-338400 02-11-27
H0040 縦型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法 日本国
2001-133136 01-04-27 2002-329871 02-11-15
H0041 平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法 日本国
2001-133137 01-04-27 2002-329859 02-11-15
K088-394 トランスポーター活性を有する新規ポリペプチド及び当該ペプチドをコードする遺伝子 日本国
2002-049656 02-02-26 2002-325592 02-11-12
H0039 酸化絶縁膜の形成方法 日本国
2001-088397 01-03-26 2002-289613 02-10-04
K091-397 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 日本国
2001-090713 01-03-27 2002-289887 02-10-04 03-09-19
K172-904 中性粒子ビーム処理装置 日本国
2001-088859 01-03-26 2002-289581 02-10-04 07-11-22
K172-904 中性粒子ビーム処理装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2002/002747 02-03-22 2002/78407 02-10-03
K090-396 イオン性液体中でのPd/c触媒を用いたHeck反応 日本国
2001-065162 01-03-08 2002-265394 02-09-18 04-04-09
K086-390 MOS型電界効果トランジスタ 日本国
2001-034263 01-02-09 2002-237590 02-08-23
K087-393 SiC膜の製造方法及びSiC多層膜構造の製造方法 日本国
2001-025523 01-02-01 2002-234799 02-08-23 04-05-28
K089-395 プリオン病感染因子のスクリーニング方法 日本国
2001-024279 01-01-31 2002-228665 02-08-14 03-04-25
K089-395 プリオン病感染因子のスクリーニング方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2002/000803 02-01-31 2002/61418 02-08-08
K087-393 SiC膜の製造方法及びSiC多層膜構造の製造方法 アメリカ合衆国
09/938,584 01-08-27 2002/102862 02-08-01 03-05-20
K085-389 トランスポーター活性を有するポリペプチド及び当該ペプチドをコードする遺伝子 日本国
2000-368601 00-12-04 2002-171980 02-06-18
K084-388 半導体デバイス 日本国
2000-270377 00-09-06 2002-083781 02-03-22
K225-943 半導体デバイス 日本国
2000-264885 00-09-01 2002-076356 02-03-15 08-03-07
K075-379 新規なシクロブタン誘導体及びその合成法 日本国
2000-229179 00-07-28 2002-047215 02-02-12 05-09-16
K083-387 歪みを有するチャンネル層を含むMOS型FET装置(旧:半導体装置) 日本国
2000-222807 00-07-24 2002-043576 02-02-08
K082-386 硫化物触媒を用いた一酸化炭素の水素化法 日本国
2000-202390 00-07-04 2002-020767 02-01-23 05-01-07
K081-385 触媒活性評価装置 日本国
2000-188728 00-06-23 2002-005918 02-01-09 03-01-24

公開日別公開特許情報

出願日別公開特許情報

問合せ先

産学連携機構 総合連携推進部 ワンストップサービス窓口

TEL: 022-795-5275
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