事業案内 公開特許情報

2009年出願 公開特許情報

2019年2月21日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
P20090233 生体高分子の検出及び／又は同定方法 日本国
2009-296885 09-12-28 2011-135799 11-07-14
P20090234 ヒト子宮筋腫モデル動物の作製方法 日本国
2009-297958 09-12-28 2011-135818 11-07-14
P20090313 高飽和磁化ニッケル－鉄合金ナノ粒子の製造方法及び高飽和磁化ニッケル－鉄合金ナノ粒子 日本国
2009-294364 09-12-25 2011-132581 11-07-07
P20090334 フッ化物結晶、真空紫外発光素子及び真空紫外発光シンチレーター 日本国
2009-294957 09-12-25 2011-132092 11-07-07 13-07-19
P20090340 導電性膜の製造方法および導電性膜 日本国
2009-295891 09-12-25 2011-138622 11-07-14
P20080203-03 放射線検出器 日本国
2009-290287 09-12-22 2010-169674 10-08-05
P20080203-02 放射線検出器 日本国
2009-290283 09-12-22 2010-169673 10-08-05
P20080308 バソヒビン修飾体 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/71328 09-12-22 2010/74082 10-07-01
P20080364 炭素材料の分散液、及びその製造方法 中華人民共和国
200980152618.7 09-12-18 102264640 11-11-30 14-09-10
P20080364 炭素材料の分散液、及びその製造方法 大韓民国
2016-7032685 09-12-18 17-08-25
P20080364 炭素材料の分散液、及びその製造方法 アメリカ合衆国
13/142,237 09-12-18 2011/253945 11-10-20
P20080364 炭素材料の分散液、及びその製造方法 インド
5214/CHENP/2011 09-12-18 18-11-20
P20080364 炭素材料の分散液、及びその製造方法 ヨーロッパ特許庁
9834801.4 09-12-18 2377814 11-10-19
P20080364-01 炭素材料の分散液、及びその製造方法 日本国
2010-544043 09-12-18 16-06-10
P20090350 ITO粉末、ITO粒子の製造方法、透明導電材用塗料並びに透明導電膜 日本国
2009-287816 09-12-18 2011-126746 11-06-30 14-09-26
P20080364 炭素材料の分散液、及びその製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/71158 09-12-18 2010/74000 10-07-01
P20090087 皮膚真皮透明化による角膜移植材料調製法 日本国
2009-287890 09-12-18 2013-048642 13-03-14
P20090299 バイオマスガス化発電装置及び移動体 日本国
2009-286745 09-12-17 2011-126997 11-06-30
P20080380-01 半導体装置及びその製造方法 日本国
2010-544018 09-12-16 2010-073947 12-06-14
P20090466 ミリ波撮像装置、ミリ撮像システムおよびプログラム 日本国
2009-284080 09-12-15 2011-127914 11-06-30
P20090280 チャックの安全監視システム 日本国
2009-281843 09-12-11 2011-121148 11-06-23
P20090278 細胞検査用バイオアッセイ用キット 日本国
2009-281158 09-12-11 2011-122953 11-06-23 14-05-23
P20090058 ナノポーラス金属コア・シェル型コンポジット及びその製造法 日本国
2009-282052 09-12-11 2011-006775 11-01-13 14-08-01
P20090060 可視光応答性ルチル型二酸化チタン光触媒 日本国
2009-280447 09-12-10 2011-120998 11-06-23 14-04-11
P20080367 イオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置 大韓民国
2011-7015027 09-12-10 2011-104509 11-09-22
P20080367 イオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置 アメリカ合衆国
14/172,091 09-12-10 2014/151853 14-05-06
P20080367 イオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置 アメリカ合衆国
13/139,335 09-12-10 2011/248323 11-10-13
P20110103 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、このエポキシ樹脂組成物が使用された半導体装置、このエポキシ樹脂組成物の製造方法 日本国
2009-279756 09-12-09 2010-229336 10-10-14 14-03-28
P20110103-01 表面処理粒子の製造方法 日本国
2014-057568 09-12-09 2014-122364 14-07-03 16-03-25
P20090303 気体分析装置 日本国
2009-278808 09-12-08 2011-122855 11-06-23 14-03-28
P20090344 立体表示装置 日本国
2009-277245 09-12-07 2011-118256 11-06-16
P20090330 プラズマ処理装置用のアルミナ部材及びプラズマ処理装置用のアルミナ部材の製造方法 日本国
2009-277559 09-12-07 2011-117054 11-06-16 12-07-13
P20080309 磁性薄膜及びその製造方法、並びにこのような磁性薄膜を用いた各種対応デバイス アメリカ合衆国
12/631,413 09-12-04 2010/140727 10-06-10 11-08-09
P20080309 磁性薄膜及びその製造方法、並びにこのような磁性薄膜を用いた各種対応デバイス 中華人民共和国
200910252056.5 09-12-04 101752053 10-06-23
P20080191 放射線用半導体２次元位置検出器及びそれを用いた放射線の２次元位置検出方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/70353 09-12-03 2010/64693 10-06-10
P20080191 放射線用半導体２次元位置検出器及びそれを用いた放射線の２次元位置検出方法 ヨーロッパ特許庁
9830459.5 09-12-03 2372396 11-10-05
P20080191-01 放射線の位置を２次元で検出する半導体２次元位置検出器及びそれを用いた陽電子断層撮影装置並びに放射線の２次元位置検出方法 日本国
2010-541355 09-12-03 14-10-03
P20080191 放射線用半導体２次元位置検出器及びそれを用いた放射線の２次元位置検出方法 アメリカ合衆国
13/132,601 09-12-03 2011/284754 11-11-24 14-07-22
P20090235 円柱試料熱間加工における摩擦補正方法 日本国
2009-273319 09-12-01 2011-115805 11-06-16
P20080181 発電装置 アメリカ合衆国
13/201,411 09-11-30 2012/25652 12-02-02 15-04-28
P20080181-01 発電装置 日本国
2010-550416 09-11-30 13-11-22
P20080181 発電装置 中華人民共和国
200980158702.X 09-11-30 102396137 12-03-28 14-01-01
P20080181 発電装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/70135 09-11-30 2010/92724 10-08-19
P20090336 稀少金属の製造方法 日本国
2009-271767 09-11-30 2011-111665 11-06-09 14-01-10
P20080353 光電変換素子及び太陽電池 アメリカ合衆国
13/188,848 09-11-27 2012/186638 12-07-26 16-01-05
P20080353 光電変換素子及び太陽電池 アメリカ合衆国
13/133,397 09-11-27 2011/253208 11-10-20
P20080353 光電変換素子及び太陽電池 中華人民共和国
201110216937.9 09-11-27 102254982 11-11-23 13-11-27
P20080353 光電変換素子及び太陽電池 中華人民共和国
200980148633.4 09-11-27 102239566 11-11-09 14-07-16
P20120152 チタン銅製の電子部品用曲げ加工材及びその製造方法 日本国
2009-268900 09-11-26 2011-111650 11-06-09
P20090322 ターボ復号方法及び復号器 日本国
2009-268905 09-11-26 2011-114567 11-06-09
P20090329 表面保護膜、接ガス部材、ガス処理装置及びメカニカルポンプ 日本国
2009-269201 09-11-26 2011-111363 11-06-09 15-02-13
P20090044 半導体装置の製造方法　 台湾
98140030 09-11-25 201030843 10-08-16 13-09-21
P20090261-01 ウエットエッチング用基板 日本国
2014-098904 09-11-24 2014-208912 14-11-06 15-07-24
P20090261 ウエットエッチング用基板及び金属パターンを有する基板の製造方法 日本国
2009-266853 09-11-24 2011-111636 11-06-09 15-07-10
P20090044 半導体装置の製造方法　 アメリカ合衆国
12/623,556 09-11-23 2010/130011 10-05-27 13-08-27
P20080113-01 信号処理装置、信号処理方法、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに放射線治療装置 日本国
2010-539269 09-11-19 14-08-29
P20080323-01 荷重測定装置 日本国
2010-547404 09-11-19 2010-084662 10-07-29 13-10-11
P20080113 信号処理装置、信号処理方法、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに放射線治療装置 カナダ
2744005 09-11-19 17-04-25
P20080113 信号処理装置、信号処理方法、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに放射線治療装置 ヨーロッパ特許庁
9827644.7 09-11-19 2359903 11-08-24
P20080113 信号処理装置、信号処理方法、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに放射線治療装置 アメリカ合衆国
13/112,361 09-11-19 2011/266464 11-11-03 14-06-10
P20080323 荷重測定装置 アメリカ合衆国
13/144,862 09-11-19 2011/296929 11-12-08 14-11-18
P20080113 信号処理装置、信号処理方法、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体並びに放射線治療装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/69992 09-11-19 2010/58863 10-05-27
P20090254 回転・傾斜測定装置および方法 日本国
2009-261069 09-11-16 2011-106920 11-06-02
P20090287 混合ガスの分析装置及び混合ガスの分析方法 日本国
2009-260883 09-11-16 2011-106911 11-06-02 14-04-18
P20060445 層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法 ヨーロッパ特許庁
8711851.9 09-11-11 2117037 09-11-11
P20080263-02 ゲルマニウム含有高屈折率薄膜およびその製造方法 日本国
2010-537790 09-11-11 2010-055859 10-05-20 14-11-21
P20080263 ゲルマニウム含有高屈折率薄膜およびその製造方法 台湾
98138356 09-11-11 201024221 10-07-01
P20090161 ３色混合光の照射による植物の栽培方法 日本国
2009-257694 09-11-11 2011-101616 11-05-26
P20080263 ゲルマニウム含有高屈折率薄膜およびその製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/69213 09-11-11 2010/55859 10-05-20
P20080263 ゲルマニウム含有高屈折率薄膜およびその製造方法 アメリカ合衆国
13/127,180 09-11-11 2011/281090 11-11-17
P20080339 醸造液濾過システム、醸造液濾過方法、および醸造液製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/69182 09-11-11 2011/229618 11-09-22
P20090170 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法 台湾
98137998 09-11-10 201019410 10-05-16
P20090170 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法 大韓民国
2011-7004953 09-11-09 2011-48547 11-05-11 12-12-03
P20090304 調整弁装置 日本国
2009-256210 09-11-09 2011-099542 11-05-19
P20090170 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法 アメリカ合衆国
12/992,971 09-11-09 2011/66294 11-03-17
P20090170 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法 中華人民共和国
200980144307.6 09-11-09 102203905 11-09-28
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 イタリア
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 イギリス
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 スウェーデン
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/68968 09-11-06 2010/58707 10-05-27
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 ヨーロッパ特許庁
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174-01 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 日本国
2010-539201 09-11-06 2010-058707 10-05-27 15-02-20
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 デンマーク
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 カナダ
2744286 09-11-06 18-07-31
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 ノルウェー
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 フィンランド
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 ドイツ連邦共和国
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 中華人民共和国
200980145725.7 09-11-06 102216454 11-10-12 13-05-29
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 ベルギー
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 オーストラリア
2009318554 09-11-06 16-09-22
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 フランス
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 アメリカ合衆国
13/129,969 09-11-06 2011/294192 11-12-01
P20080174 アフィニティタグが結合した融合コラゲナーゼおよびその製造法 スペイン
9827488.9 09-11-06 2363461 11-09-07 14-12-24
P20080138 眼内移行性の高い点眼剤および蛍光イメージング剤ならびにそれらの製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/68851 09-11-04 2010/53101 10-05-14
P20080410 プラズマ処理装置 アメリカ合衆国
13/145,398 09-11-02 15-08-11
P20080355 プラズマ処理装置 大韓民国
2011-7013086 09-11-02 2011-82193 11-07-18 13-06-25
P20080410 プラズマ処理装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/68748 09-11-02 2010/84655 10-07-29
P20090137 分光結晶、波長分散型X線分析装置および元素分布測定方法 日本国
2009-252190 09-11-02 2011-095224 11-05-12 14-01-31
P20080410 プラズマ処理装置 大韓民国
2011-7016530 09-11-02 2011-95353 11-08-23 13-12-05
P20080355 プラズマ処理装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2009/68747 09-11-02 2010/67670 10-06-17
P20090295 有機－無機複合物およびその製造方法 日本国
2009-249004 09-10-29 2010-132894 10-06-17
P20080142 銅配線、半導体装置および銅配線形成方法 アメリカ合衆国
12/589,852 09-10-29 2010/155951 10-06-24 12-12-04
P20090186 電子回路 日本国
2009-247794 09-10-28 2011-096779 11-05-12 14-08-29
P20090218 電界効果型半導体装置 日本国
2009-246788 09-10-27 2011-096728 11-05-12
P20090195 等価屈折率の計算方法 日本国
2009-246073 09-10-27 2011-094971 11-05-12
P20090044 半導体装置の製造方法　 大韓民国
2009-101802 09-10-26 2010-0059680 10-06-04 11-08-01
P20080302 コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置 大韓民国
2012-7024359 09-10-23 2012-107534 12-10-02 13-07-16
P20080302 コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置 中華人民共和国
200980142901.1 09-10-23 102197461 11-09-21
P20090112 胃内膨張カプセル 日本国
2009-244272 09-10-23 2011-087790 11-05-06 14-08-01
P20080302 コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置 台湾
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P20090053 熱音響機関 日本国
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P20090011 トンネル磁気抵抗効果素子,それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ 世界知的所有権機関
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P20090056 水分発生用反応炉 日本国
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P20080063 コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 大韓民国
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P20080063 コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 アメリカ合衆国
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P20080044 半導体装置 ヨーロッパ特許庁
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P20080314 アクチノイド酸化物の結晶の製造 世界知的所有権機関
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P20070294 がん細胞運動およびがん細胞浸潤抑制剤 アメリカ合衆国
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P20070294 がん細胞運動およびがん細胞浸潤抑制剤 ヨーロッパ特許庁
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P20070366 半導体装置およびその形成方法 アメリカ合衆国
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