事業案内 公開特許情報

2011年出願 公開特許情報

2019年4月24日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
P20110156 イソプレイドの製造方法、及びイソプレイド 日本国
2011-289788 11-12-28 2013-138625 13-07-18 16-09-16
P20110095 画像照合処理装置、画像照合処理方法及び画像照合処理方プログラム 日本国
2011-287613 11-12-28 2013-137604 13-07-11 16-05-20
P20110297 評価装置および評価方法 日本国
2011-287645 11-12-28 2013-137608 13-07-11 15-12-04
P20110250 偏光変化スペクトル測定装置、偏光変化スペクトル測定方法、磁気光学効果測定装置及び磁気光学効果測定方法 日本国
2011-287570 11-12-28 2013-137209 13-07-11
P20110257 連続血圧測定システム、連続血圧測定方法、連続血圧測定プログラムおよび、連続血圧測定プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 日本国
2011-284770 11-12-27 2013-132407 13-07-08 15-05-29
P20100069 シンチレータ用発光材料、それを用いたシンチレータ及びそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/080076 11-12-26 2012/90936 12-07-05
P20130027 アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法およびアルカリ土類金属シリケート蛍光体 日本国
2011-280760 11-12-22 14-03-07
P20100176 ナノポーラス・セラミックス複合金属 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/079664 11-12-21 2012/86697 12-06-28
P20100176 ナノポーラス・セラミックス複合金属 アメリカ合衆国
13/995,896 11-12-21 2013/295461 13-11-07 16-05-10
P20100176-01 ナノポーラス金属コア・セラミックス堆積層型コンポジット及びその製造法並びにスーパーキャパシタ装置及びリチウムイオン電池 日本国
2012-549850 11-12-21 2012-086697 14-05-22 16-10-14
P20100176 ナノポーラス・セラミックス複合金属 中華人民共和国
201180061953.3 11-12-21 17-03-01
P20100291 マイクロ波帯昇圧整流回路及びこれを用いた無線タグ装置と無線タグシステム 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/079728 11-12-21 2012/90840 12-07-05
P20110104 プロセッシングマップ作成プログラム 日本国
2011-279609 11-12-21 2015-078834 15-04-23
P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 台湾
100147681 11-12-21 201230425 12-07-16 15-12-11
P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 中華人民共和国
201180058075.X 11-12-20 103250263 13-08-14 15-07-01
P20100252-01 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 日本国
2012-549634 11-12-20 2012-086183 14-05-22 14-07-11
P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 大韓民国
2013-7015987 11-12-20 2013-108418 13-10-02 15-01-22
P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 アメリカ合衆国
13/997,057 11-12-20 2013/288398 13-10-31 15-03-31
P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/007105 11-12-20 2012/86183 12-06-28
P20110315 出力補正装置、方法、およびプログラム 日本国
2011-275889 11-12-16 2013-125530 13-06-24 15-12-11
P20110318 コントラスト補正装置、方法、プログラム、および所持物検出装置 日本国
2011-275892 11-12-16 2013-125021 13-06-24
P20110314 出力補正装置、方法、およびプログラム 日本国
2011-275888 11-12-16 2013-125020 13-06-24
P20110312 出力補正装置、方法、およびプログラム 日本国
2011-275886 11-12-16 2013-126234 13-06-24
P20110316 ノイズ除去装置、ノイズ除去方法およびノイズ除去プログラム 日本国
2011-275891 11-12-16 2013-126237 13-06-24
P20110317 マスキング処理装置、処理方法、処理プログラム、および所持物検出装置 日本国
2011-275890 11-12-16 2013-126236 13-06-24 15-11-27
P20110313 出力補正装置、方法、プログラム、および撮像システム 日本国
2011-275887 11-12-16 2013-126235 13-06-24 15-11-27
P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 ドイツ連邦共和国
11848688.5 11-12-15 17-07-27
P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 スペイン
11848688.5 11-12-15 17-07-26
P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/079012 11-12-15 2012/81658 12-06-21
P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 ヨーロッパ特許庁
11848688.5 11-12-15 17-07-26
P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 アメリカ合衆国
13/885,026 11-12-15 14-08-19
P20100385 輪郭形状測定方法及び輪郭形状測定装置 日本国
2011-272901 11-12-14 2013-124889 13-06-24
P20100144 銅合金及び銅合金の製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/078786 11-12-13 2012/81573 12-06-21
P20110205 固体撮像装置 日本国
2011-272614 11-12-13 2013-126024 13-06-24 14-01-10
P20110277 固体撮像装置 日本国
2011-272615 11-12-13 2013-126025 13-06-24 14-01-10
P20110161 着火装置、および着火方法 日本国
2011-271390 11-12-12 2013-122215 13-06-20
P20110024 スタチンの用法、用量を決定する方法 アメリカ合衆国
13/316,246 11-12-09 2013/65226 13-03-14 14-06-24
P20110079 表示装置 日本国
2011-269413 11-12-08 2013-120360 13-06-17 14-12-26
P20110284 背面投射型ディスプレイとそれに用いるスクリーン 日本国
2011-266487 11-12-06 2013-120199 13-06-17
P20100280 電気化学計測チップ用電極装置 アメリカ合衆国
13/311,255 11-12-05 2012/160678 12-06-28 13-06-25
P20110270 光拡散フィルムの製造方法 日本国
2011-266314 11-12-05 2013-117702 13-06-13 16-02-12
P20100279 電気化学計測チップ用電極装置 アメリカ合衆国
13/311,237 11-12-05 2012/160676 12-06-28 14-04-08
P20110269 光拡散フィルムの製造方法 日本国
2011-266315 11-12-05 2013-117703 13-06-13 16-02-12
P20100281 電気化学計測チップ用電極装置 アメリカ合衆国
13/311,270 11-12-05 2012/160679 12-06-28 14-04-08
P20110179 非接触式電力伝送装置 日本国
2011-264023 11-12-01 2013-118737 13-06-13
P20110177 非接触式電力伝送装置 日本国
2011-264024 11-12-01 2013-118738 13-06-13
P20110178 非接触式電力伝送装置 日本国
2011-264021 11-12-01 2013-118735 13-06-13
P20110176 非接触式電力伝送装置 日本国
2011-264022 11-12-01 2013-118736 13-06-13
P20100285 半導体レーザ素子 中華人民共和国
201110391356.9 11-11-30 102545036 12-07-04
P20110245 しわのよったナノ多孔質金属箔 日本国
2011-261052 11-11-29 2013-113747 13-06-10 17-01-20
P20100382 神経プローブ刺入具 日本国
2011-260391 11-11-29 2013-111269 13-06-10
P20110237 希土類添加硫化物蛍光体の製造方法 日本国
2011-259767 11-11-29 2013-112739 13-06-10 15-06-19
K282-004 高分子薄膜、高分子積層膜の製造方法、その製造方法で製造された高分子薄膜、および高分子積層膜 日本国
2012-545808 11-11-25 2012-070658 14-05-19
P20100207-01 光照射装置及び顕微鏡 日本国
2011-256872 11-11-25 2012-133342 12-07-12 16-01-22
K282-004 高分子薄膜、高分子積層膜の製造方法、その製造方法で製造された高分子薄膜、および高分子積層膜 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/077230 11-11-25 2012/70658 13-05-31
P20110190 ナノ複合材料およびナノ複合材料の製造方法 日本国
2011-256190 11-11-24 2013-107807 13-06-06 15-12-18
P20110221 微粒子作製装置 日本国
2011-256525 11-11-24 2013-107065 13-06-06 16-05-13
P20100240-01 p型熱電変換材料及びその製造方法、並びに、熱電変換素子及び熱電変換モジュール 日本国
2011-255852 11-11-24 2012-129516 12-07-05
P20110113 ステージ機構およびその駆動方法 日本国
2011-256202 11-11-24 2013-108939 13-06-06
P20110170 トランスオーラルシステム 日本国
2011-254913 11-11-22 2013-110633 13-06-06 15-06-05
P20100268 ナノ結晶含有チタン合金およびその製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/077445 11-11-22 2012/70685 12-05-31
P20100268 ナノ結晶含有チタン合金およびその製造方法 アメリカ合衆国
13/988,123 11-11-22 2013/284325 13-10-31 17-04-18
P20100268 ナノ結晶含有チタン合金およびその製造方法 ヨーロッパ特許庁
11843473.7 11-11-22 2644724 13-10-02
P20100239 燃焼実験装置 大韓民国
2013-7012410 11-11-18 2013-101089 13-09-12 16-04-19
P20100239 燃焼実験装置 ヨーロッパ特許庁
11841033.1 11-11-18 2642280 13-09-25 19-01-16
P20100239 燃焼実験装置 大韓民国
2014-7035456 11-11-18 16-05-16
P20100239 燃焼実験装置 中華人民共和国
201180055191.6 11-11-18 103210305 13-07-17 15-07-01
P20100239 燃焼実験装置 アメリカ合衆国
13/885,430 11-11-18 17-02-07
P20100239 燃焼実験装置 ロシア
2013126881 11-11-18 14-10-30
P20100239 燃焼実験装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/076681 11-11-18 2012/67233 12-05-24
P20110185 骨再生材料 日本国
2011-251789 11-11-17 2013-106644 13-06-06 16-02-12
P20120108 近赤外吸収フタロシアニン 日本国
2011-248875 11-11-14 2013-103911 13-05-30
P20100015 磁気刺激リハビリテーション装置 日本国
2011-264090 11-11-14 2013-103121 13-05-30 16-03-04
P20100238 通路選択装置、プログラム及び方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/076600 11-11-11 2012/67210 12-05-24
P20090497 物体または形状の情報表現方法 アメリカ合衆国
13/988,655 11-11-11 2013/236108 13-09-12 16-02-09
P20090497 物体または形状の情報表現方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/076599 11-11-11 2012/70474 12-05-31
P20090497-02 物体または形状の情報表現方法 日本国
2012-545710 11-11-11 2012-070474 14-05-19 15-06-05
P20110243 生体磁気センサー及びその製造方法 日本国
2011-247362 11-11-11 2013-105825 13-05-30 15-09-11
P20100285 半導体レーザ素子 ヨーロッパ特許庁
11008998.4 11-11-11 2463972 12-06-13
P20110217 マイクロ波アシスト磁気記録媒体 日本国
2011-246937 11-11-10 2013-105506 13-05-30 16-05-13
P20100243 多層配線基板 大韓民国
2013-7013928 11-11-10 2013-124329 13-11-13
P20100243 多層配線基板 アメリカ合衆国
13/884,844 11-11-10 2013/235545 13-09-12
P20110233 鋳造用塩中子の製造方法 日本国
2011-245576 11-11-09 2013-099768 13-05-23 15-08-28
P20100427 電子デバイス実装方法及び電子デバイス実装体 日本国
2011-246008 11-11-09 2013-102399 13-05-23 16-01-08
P20110057 トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ アメリカ合衆国
14/356,739 11-11-08 2014/340961 14-11-20 15-10-06
P20110057 トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ 大韓民国
2014-7014979 11-11-08 20140099886 14-08-13 18-05-09
P20110057 トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/075698 11-11-08 2013/69091 13-05-16
P20100251-01 超高速ウェットエッチング装置 アメリカ合衆国
13/887,730 11-11-08 2013/244442 13-09-19 14-05-20
P20100251-01 超高速ウェットエッチング装置 大韓民国
2013-7014988 11-11-08 14-12-09
P20110057-01 トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ 日本国
2013-542733 11-11-08 2013-069091 13-05-16 15-10-09
P20100395 無線受信装置 日本国
2011-244036 11-11-07 2013-102309 13-05-23
P20110186 指向性を持つ表面弾性波液体噴霧装置 日本国
2011-256793 11-11-07 2013-099734 13-05-23
P20110122-01 膜厚測定方法および膜厚測定装置 日本国
2013-541555 11-11-04 2013-065164 13-05-10 16-01-29
P20100231-01 中性子シンチレーター 日本国
2012-541880 11-11-01 2012-060382 14-05-12 16-01-15
P20100228 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 イギリス
11838031.0 11-11-01 17-02-01
P20100228 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 ヨーロッパ特許庁
11838031.0 11-11-01 17-02-01
P20100228 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 ドイツ連邦共和国
11838031.0 11-11-01 17-02-01
P20100231 金属フッ化物結晶及び発行素子 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/075197 11-11-01 2012/60382 12-05-10
P20100228 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/075196 11-11-01 2012/60381 12-05-10
P20100221 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/075226 11-11-01 2012/60394 12-05-10
P20100221 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター アメリカ合衆国
13/823,597 11-11-01 2013/183509 13-07-18 14-08-05
P20100222-01 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 日本国
2012-541888 11-11-01 2012-060395 14-05-12 16-02-26
P20100231 金属フッ化物結晶及び発行素子 アメリカ合衆国
13/880,457 11-11-01 2013/214203 13-08-22
P20100222 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 アメリカ合衆国
13/822,744 11-11-01 15-06-30
P20100221 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター ヨーロッパ特許庁
11838044.3 11-11-01 2636647 13-09-11 17-06-28
P20100228 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 アメリカ合衆国
13/820,175 11-11-01 2013/161519 13-06-27 15-01-13
P20100221 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター ドイツ連邦共和国
11838044.3 11-11-01 2636647 13-09-11 17-06-28
P20100231 金属フッ化物結晶及び発行素子 ヨーロッパ特許庁
11838032.8 11-11-01 2636773 13-09-11
P20100228-01 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 日本国
2012-541879 11-11-01 2012-060381 14-05-12 16-02-05
P20100222 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 ドイツ連邦共和国
11838045.0 11-11-01 2636646 13-09-11 17-04-12
P20100222 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 ヨーロッパ特許庁
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P20100221-01 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター 日本国
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P20100222 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 世界知的所有権機関
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P20100221 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター イギリス
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P20100222 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 イギリス
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P20110280 ミリ波撮像装置 日本国
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P20100251-02 SOI基板のエッチング方法並びにSOI基板上の裏面照射型光電変換モジュール及びその作製方法 アメリカ合衆国
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P20100251-02 SOI基板のエッチング方法並びにSOI基板上の裏面照射型光電変換モジュール及びその作製方法 大韓民国
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P20100197 抗がん作用を有するマクロライド化合物 世界知的所有権機関
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P20100436 タウイメージングプローブ 世界知的所有権機関
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P20100197-01 抗がん作用を有するマクロライド化合物 日本国
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P20100197 抗がん作用を有するマクロライド化合物 ヨーロッパ特許庁
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P20100197 抗がん作用を有するマクロライド化合物 アメリカ合衆国
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P20100251-02 SOI基板のエッチング方法並びにSOI基板上の裏面照射型光電変換モジュール及びその作製方法 中華人民共和国
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P20110148 画像処理装置、方法、及びプログラム 日本国
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P20110147 画像処理装置、方法、及びプログラム 日本国
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P20100267 複数の電極を備えたICチップ 日本国
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P20110169 血管固さ評価装置、血管固さ評価方法、血管固さ評価プログラムおよび血管固さ評価プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 日本国
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P20110240 摺動装置,メカニカルシール,回転装置,ポンプ及び補助人工心臓システム 日本国
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P20100054-01 ルーメン液によるセルロース含有廃棄物を用いた有機酸発酵方法 日本国
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P20100054 ルーメン液によるセルロース含有廃棄物を用いた有機酸発酵方法 中華人民共和国
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P20110214 ラジカル発生装置及びそれを用いた浄化方法 日本国
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P20100054 ルーメン液によるセルロース含有廃棄物を用いた有機酸発酵方法 アメリカ合衆国
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P20140346 Fe基ナノ結晶合金粉末及びその製造方法、並びに、圧粉磁心及びその製造方法 日本国
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P20110271 錫ドープ酸化インジウム粒子 日本国
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P20110125 バラン 日本国
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P20110219 病理診断情報生成方法及び病理診断情報生成システム 日本国
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P20100215 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 ヨーロッパ特許庁
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P20100215 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 中華人民共和国
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P20100215 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 世界知的所有権機関
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P20100215 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 大韓民国
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P20100215 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 ロシア
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 中華人民共和国
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P20100215-01 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 日本国
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P20110220 組織評価方法 日本国
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P20110212 常誘電体周期双晶結晶の製造方法 日本国
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P20110197 スクリーン及び投射システム 日本国
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P20110230 半導体装置の製造方法および半導体装置 日本国
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P20110152 ナノインプリント用複製モールド 日本国
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P20100236 半導体レーザ装置組立体 ヨーロッパ特許庁
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P20100383 スロットアレイアンテナ及びスロットアンテナ 日本国
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P20110080 単層カーボンナノチューブの製造方法 日本国
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P20100236 半導体レーザ装置組立体 アメリカ合衆国
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P20110091 分光計測装置 日本国
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P20110196 バイオマスガス化用触媒 日本国
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 ヨーロッパ特許庁
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P20100439-01 薄い樹脂へ金属ガラスを溶射する方法、及び金属ガラス被膜を有する複合材料 日本国
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P20100210 半導体装置の製造方法および半導体装置 アメリカ合衆国
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P20100312 磁気抵抗素子および磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 アメリカ合衆国
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P20110184 静電誘導式発電デバイスのための誘電体薄膜デバイス 日本国
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P20100202 画像表示装置 世界知的所有権機関
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P20100202-01 画像表示装置 日本国
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P20110124 バラン 日本国
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 台湾
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 世界知的所有権機関
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 大韓民国
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 中華人民共和国
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P20110097 強磁性窒化鉄粒子粉末の製造方法、異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 日本国
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 アメリカ合衆国
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P20110136 金属膜パターン付き基体の製造方法 日本国
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 ヨーロッパ特許庁
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P20110123 体内埋込型液体ポンプシステム 日本国
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P20110126 皮膚穿刺用針状デバイス、生体成分回収用デバイスおよび生体成分測定システム 日本国
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P20110216 画像表示装置 日本国
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P20100204 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造システム 世界知的所有権機関
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P20100212 データ処理装置、データ処理システム、測定システム、データ処理方法、測定方法、電子デバイスおよびプログラム 日本国
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P20100179 Co-Ni基合金、Co-Ni基合金の結晶制御方法、Co-Ni基合金の製造方法および結晶制御されたCo-Ni基合金 中華人民共和国
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P20100179 Co-Ni基合金、Co-Ni基合金の結晶制御方法、Co-Ni基合金の製造方法および結晶制御されたCo-Ni基合金 アメリカ合衆国
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P20100351 半導体記憶装置 日本国
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P20100164 摺動材料及びその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100164 摺動材料及びその製造方法 中華人民共和国
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P20110024 スタチンの用法・用量を決定する方法 日本国
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P20100164 摺動材料及びその製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100164 摺動材料及びその製造方法 ドイツ連邦共和国
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P20100164 摺動材料及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20100333 音声評価装置、音声評価方法、及びプログラム 日本国
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P20110192 蛍光物質内包ナノ粒子およびこれを用いた生体物質の検出方法 日本国
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P20110191 生物物質発現レベル評価システム 日本国
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P20110203 半導体装置及び半導体装置の製造方法 日本国
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P20110131 作業支援システム 日本国
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P20110183 電極用薄膜の製造方法、当該方法により製造される電極用薄膜、及び当該電極用薄膜を備える電池 日本国
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P20100192-01 X線シンチレータ用材料 日本国
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P20100173 陰極体、蛍光管、および陰極体の製造方法 中華人民共和国
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P20100165 生体物質検出方法 世界知的所有権機関
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P20100165 生体物質検出方法 アメリカ合衆国
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P20100165 生体物質検出方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100160 生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び生体磁気計測方法 世界知的所有権機関
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P20100160 生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び生体磁気計測方法 アメリカ合衆国
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P20100160 生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び生体磁気計測方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100160-01 生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び生体磁気計測方法 日本国
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P20100173 陰極体、蛍光管、および陰極体の製造方法 アメリカ合衆国
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P20100165-01 生体物質検出方法 日本国
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P20100160 生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び生体磁気計測方法 中華人民共和国
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P20110073 銅微粒子分散液の製造方法、銅微粒子の製造方法、銅微粒子分散液および銅微粒子 日本国
2011-186200 11-08-29 2013-047365 13-03-07 15-12-04
P20110083 表示パネルおよび表示装置 日本国
2011-186166 11-08-29 2013-047745 13-03-07 14-12-05
P20100406 周期構造反射鏡およびそれを用いた光素子 日本国
2011-186504 11-08-29 2013-047763 13-03-07
P20110195 表示パネル、表示装置および電子機器 日本国
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 アメリカ合衆国
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100157-01 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 日本国
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P20100157 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 ドイツ連邦共和国
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 フランス
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P20100157 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 フランス
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 ドイツ連邦共和国
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P20100157 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 イギリス
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P20100137 リフレクトアレイ ドイツ連邦共和国
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P20100137 リフレクトアレイ ヨーロッパ特許庁
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P20100157 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100161-01 フッ化物結晶、放射線検出用シンチレータ及び放射線検出器 日本国
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 中華人民共和国
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P20110167 シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 日本国
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 イギリス
11821292.7 11-08-26 16-06-29
P20100118-01 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 日本国
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P20100034-01 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 日本国
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P20100034 がん発症又はがん発症リスクの判定方法 世界知的所有権機関
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P20100157 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 中華人民共和国
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P20100157 抗体を成分として含む医薬品の有効性の判定方法 世界知的所有権機関
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P20100320 細胞ストレス状態のバイオマーカー 日本国
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P20110059 レジストパターン形成方法、並びにそれを用いたナノインプリント用モールド、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法 日本国
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P20110173 非接触電力伝送システム 世界知的所有権機関
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P20100137 リフレクトアレイ 中華人民共和国
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P20100137 リフレクトアレイ アメリカ合衆国
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P20110102 水質浄化材の製造方法 日本国
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P20110074 シリコン太陽電池の製造方法 日本国
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P20110109 三相電磁機器 日本国
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P20090447-01 Na―Si―B組成を有するホウ化物及びホウ化物反応焼結体 日本国
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P20090447 Na―Si―B組成を有するホウ化物及びホウ化物反応焼結体 世界知的所有権機関
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P20090447 Na―Si―B組成を有するホウ化物及びホウ化物反応焼結体 アメリカ合衆国
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P20100115 Co基合金 イタリア
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P20100115 Co基合金 アメリカ合衆国
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P20110020-01 原発性アルドステロン症の腺腫鑑別法及び18-オキソコルチゾール(18-oxoF)、18-ヒドロキシコルチゾール(18-OHF)の測定法 日本国
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P20100115 Co基合金 ドイツ連邦共和国
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P20110165 シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 日本国
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P20100115 Co基合金 フランス
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P20100115 Co基合金 ヨーロッパ特許庁
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P20100115 Co基合金 中華人民共和国
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P20100115 Co基合金 中華人民共和国
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P20100115 Co基合金 イギリス
11819817.5 11-08-15 2610360 13-07-03 17-10-25
P20110087 凍結手術装置およびその温度制御方法 日本国
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P20110060 ニッケル内包フラーレンの製造方法、及び、製造装置 日本国
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P20110121 位置検出装置 日本国
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P20100151 半導体装置の製造方法および半導体装置 中華人民共和国
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P20100151 半導体装置の製造方法および半導体装置 アメリカ合衆国
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P20100396 波長選択性熱放射または熱吸収材料の製造方法 日本国
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P20100381 力覚提示装置 日本国
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 イスラエル
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 ドイツ連邦共和国
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 中華人民共和国
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 ヨーロッパ特許庁
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 アメリカ合衆国
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 イギリス
11834109.8 11-07-27 17-03-08
P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 フランス
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P20100021 評価用補助具 ヨーロッパ特許庁
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P20100021 評価用補助具 ロシア
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P20100021 評価用補助具 アメリカ合衆国
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P20100021 評価用補助具 世界知的所有権機関
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P20100021 評価用補助具 ロシア
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P20100021 評価用補助具 アメリカ合衆国
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P20100021 評価用補助具 中華人民共和国
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P20100021 評価用補助具 アメリカ合衆国
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P20100021 評価用補助具 大韓民国
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P20100021 評価用補助具 大韓民国
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P20110061 スピン編極キャリア輸送装置 日本国
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P20100021 評価用補助具 中華人民共和国
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P20100134 光電変換部材 アメリカ合衆国
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P20100134 光電変換部材 中華人民共和国
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P20060222 膜塗布装置および膜塗布方法 台湾
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P20090388 磁性粒子およびその製造方法 アメリカ合衆国
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P20110076 磁壁移動型の磁気記録素子及び磁気記録方法 日本国
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P20100120 ホスウィッチ型熱中性子検出器 世界知的所有権機関
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P20100121 放射線検出器 世界知的所有権機関
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P20110181 アイリス面空間結像制御型画像表示装置 日本国
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P20100120-01 ホスウィッチ型熱中性子検出器 日本国
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P20100120 ホスウィッチ型熱中性子検出器 アメリカ合衆国
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P20100120 ホスウィッチ型熱中性子検出器 ヨーロッパ特許庁
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P20100121 放射線検出器 アメリカ合衆国
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P20100121 放射線検出器 ヨーロッパ特許庁
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P20100121-01 放射線検出器 日本国
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P20110051 対数関数の近似演算回路 日本国
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P20110052 高速フーリエ変換装置 日本国
2011-158011 11-07-19 2013-025468 13-02-04
P20100073 ヒト型化抗EGFR抗体リジン置換可変領域断片及びその利用 アメリカ合衆国
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P20100073 ヒト型化抗EGFR抗体リジン置換可変領域断片及びその利用 アメリカ合衆国
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P20100205 ミリ波撮像装置 世界知的所有権機関
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P20100106-02 高弾性ステントおよび高弾性ステントの製造方法 日本国
2012-524610 11-07-15 2012-008579 13-09-09
P20110045 エネルギー消費量呈示装置およびエネルギー消費量推定方法 日本国
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 大韓民国
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P20100123 プラズマ処理装置 台湾
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 アメリカ合衆国
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 フランス
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 中華人民共和国
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P20100124 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 台湾
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P20100123 プラズマ処理装置 世界知的所有権機関
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P20100125 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/066085 11-07-14 2012/8525 12-01-19
P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 台湾
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P20100124 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 世界知的所有権機関
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 インド
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 ドイツ連邦共和国
11806875.8 11-07-14 2594666 13-05-22 17-05-10
P20100124 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 アメリカ合衆国
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P20110042 太陽電池および太陽電池の製造方法 日本国
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P20090358-01 信号処理装置、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 日本国
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P20090358 信号処理装置、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 世界知的所有権機関
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P20110082 複数脳賦活観測システム 日本国
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P20090358 信号処理装置、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 アメリカ合衆国
13/740,859 11-07-13 2013/129255 13-05-23 14-09-16
P20090358 信号処理装置、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 ヨーロッパ特許庁
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P20100431 関数算出装置、デプスマップ生成装置、関数算出方法及び関数算出プログラム 日本国
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P20100128 アンテナ 日本国
2011-154057 11-07-12 2013-021553 13-01-31
P20110115 製造プロセス用の処理槽及びその製造法 日本国
2011-153240 11-07-11 2013-021130 13-01-31
D20110001 脳機能計測機用プローブ 日本国
2011-015744 11-07-11 12-01-13
P20110046 ホルモン療法耐性乳癌細胞株及びそれを用いた薬剤スクリーニング方法 日本国
2011-152458 11-07-11 2013-017414 13-01-31
P20100416-01 評価用補助具および評価用装置 日本国
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P20100416 評価用補助具および評価用装置 日本国
2011-152322 11-07-08 2013-017594 13-01-31 15-12-25
P20100102 磁気ポンプ 世界知的所有権機関
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P20100102 磁気ポンプ ヨーロッパ特許庁
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P20100102-01 磁気ポンプ 日本国
2012-524535 11-07-08 2012-008383 13-09-09 15-10-09
P20110164 シンチレータ用ガーネット型単結晶およびこれを用いる放射線検出器 日本国
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P20100102 磁気ポンプ アメリカ合衆国
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P20110004 オートタキシンアイソフォーム特異的抗体および検出方法 日本国
2011-150054 11-07-06 2013-014558 13-01-24 16-01-08
P20100372 炭素材料およびこれを利用した金属担持炭素素材、ならびにその製造方法 日本国
2011-149590 11-07-05 2013-014481 13-01-24 15-07-24
P20100391 光子対発生装置 日本国
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P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 中華人民共和国
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P20100093 半導体光増幅器 中華人民共和国
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P20100056-01 多色発光細胞を用いた免疫毒性評価システム 日本国
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P20100100 合成石英ガラスの仮想温度の測定方法 世界知的所有権機関
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P20100056 多色発光細胞を用いた免疫毒性評価システム 世界知的所有権機関
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P20100092 アルデヒドを用いた水熱合成反応の制御方法 世界知的所有権機関
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P20110075 無細胞系タンパク質合成系に関する迅速化法 日本国
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P20100092-01 アルデヒドを用いた水熱合成反応の制御方法 日本国
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P20100364 間隙測定装置、表面形状測定装置、間隙測定方法および表面形状測定方法 日本国
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P20100310 新規シルセスキオキサン誘導体及びそれから構成されるプロトン伝導膜 日本国
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P20100035 タンパク質を含包したカーボンナノチューブフィルム、それを電極とするセンサ及び発電デバイス 世界知的所有権機関
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P20110058 モデルパラメータ配列装置とその方法とプログラム 日本国
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P20110056 モデル縮減装置とその方法とプログラム 日本国
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P20090461 窒化物単結晶の製造方法 台湾
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P20100035 タンパク質を含包したカーボンナノチューブフィルム、それを電極とするセンサ及び発電デバイス アメリカ合衆国
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P20100035-02 タンパク質を含包したカーボンナノチューブフィルム、それを電極とするセンサ及び発電デバイス 日本国
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P20100035 タンパク質を含包したカーボンナノチューブフィルム、それを電極とするセンサ及び発電デバイス ヨーロッパ特許庁
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P20090461 窒化物単結晶の製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20090461 窒化物単結晶の製造方法 中華人民共和国
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P20090461-01 窒化物単結晶の製造方法 日本国
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P20090461 窒化物単結晶の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 アメリカ合衆国
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P20110034 超臨界流体を用いた化合物半導体膜の製造方法 日本国
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P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 アメリカ合衆国
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P20090461 窒化物単結晶の製造方法 アメリカ合衆国
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P20090366 コレステロールの生合成を抑制するために用いられる組成物 世界知的所有権機関
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P20100093 半導体光増幅器 アメリカ合衆国
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P20100423 組換え微生物、当該組換え微生物を用いたアラニンの製造方法 日本国
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P20110163 放射線検出器 日本国
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P20110067 化合物超電導撚線の製造方法 日本国
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P20100227 金属フッ化物結晶、発光素子及びシンチレーター 日本国
2011-130802 11-06-13 2013-001577 13-01-07 15-03-20
P20090331 乾癬治療効果の経過観察及び早期の予測方法並びにそれらに使用するキット 世界知的所有権機関
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P20090352 TSLPを恒常的に高発現する細胞、及び前記細胞を利用したTSLP調節剤のスクリーニング方法 アメリカ合衆国
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P20090352 TSLPを恒常的に高発現する細胞、及び前記細胞を利用したTSLP調節剤のスクリーニング方法 世界知的所有権機関
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P20090352-01 TSLPを恒常的に高発現する細胞、及び前記細胞を利用したTSLP調節剤のスクリーニング方法 日本国
2012-522440 11-06-13 2012-001889 13-08-22
P20100093 半導体光増幅器 ヨーロッパ特許庁
11004801.4 11-06-10 2403080 12-01-04
P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 ヨーロッパ特許庁
11005108.3 11-06-10 2403081 12-01-04
P20100297 ナノ金属ガラス粒子集合体の製造方法 日本国
2011-130026 11-06-10 2012-255197 12-12-27 15-05-29
P20100357 半導体レーザ光原 日本国
2011-127990 11-06-08 2012-256667 12-12-27
P20100353 半導体光変調器 日本国
2011-127991 11-06-08 2012-255857 12-12-27 15-03-06
P20110048 無動力原子炉冷却システム 日本国
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P20100072 減圧処理装置 アメリカ合衆国
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P20110015 カーバメートの製造方法 日本国
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P20100072 減圧処理装置 台湾
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P20100037 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20100420 二酸化炭素有効利用装置 日本国
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P20100037 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 世界知的所有権機関
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P20100037 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20090487 アルコール類の酸化方法 アメリカ合衆国
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P20090487 アルコール類の酸化方法 ドイツ連邦共和国
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P20090487-01 アルコール類の酸化方法 日本国
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P20090487 アルコール類の酸化方法 ヨーロッパ特許庁
11806559.8 11-05-30 2594550 13-05-22 16-10-12
P20100309 摺動部材およびこの摺動部材を用いたシ摺動システム 日本国
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P20100027-01 非同期プロトコル変換装置 日本国
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P20100175 放射線画像検出器 世界知的所有権機関
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P20110101 画像表示装置とそれに用いるスクリーン 日本国
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P20110055 垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 日本国
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P20110066 静電チャック装置 日本国
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P20100027 非同期プロトコル変換装置 世界知的所有権機関
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P20100298-01 シリケート蛍光体およびその製造方法 日本国
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P20100036-01 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 日本国
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P20100036 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 世界知的所有権機関
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P20100036 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20110028-01 作業支援システム 日本国
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P20110028 作業支援システム 日本国
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P20100061 ストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法 台湾
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P20100313 磁気メモリ 日本国
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P20100061-01 Eu賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法 日本国
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P20110023 調理容器及びその製造方法 日本国
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P20100061 ストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100061 ストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法 大韓民国
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D20120003 ミリ波撮像機 日本国
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P20100264 論理集積回路のCADシステム及びスピントロニクス論理集積回路の設計方法 日本国
2011-113617 11-05-20 2012-243137 12-12-10 15-10-02
P20100388 抵抗変化素子の動作をシュミレーションする方法 日本国
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P20100263 試験可能な不揮発論理ゲート 日本国
2011-113762 11-05-20 2012-242287 12-12-10 15-09-18
P20110071 耐食性、通電性に優れたアモルファス合金およびその用途 日本国
2011-112109 11-05-19 2012-241231 12-12-10 16-01-29
P20100334 自己免疫疾患治療薬のスクリーング方法 日本国
2011-112881 11-05-19 2014-157014 14-08-28
P20100276 中性子線検出器、中性子線検出用シンチレータおよび中性子線とy線とを弁別する方法 ヨーロッパ特許庁
11783585.0 11-05-18 2573590 13-03-27
P20120330 光触媒組成物、壁材、建材、および光触媒組成物の製造方法 日本国
2011-111489 11-05-18 2012-239971 12-12-10 15-07-03
P20100039 軟X線検出システム アメリカ合衆国
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P20100276 中性子線検出器、中性子線検出用シンチレータおよび中性子線とy線とを弁別する方法 アメリカ合衆国
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P20100276-01 中性子線検出器、中性子線検出用シンチレータおよび中性子線とy線とを弁別する方法 日本国
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P20100276 中性子線検出器、中性子線検出用シンチレータおよび中性子線とy線とを弁別する方法 世界知的所有権機関
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P20110040 窒素内包フラーレンの製造装置、及び、製造方法 日本国
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P20110012 電源装置および測定用デバイス 日本国
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P20110012-01 電源装置および測定用デバイス 日本国
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 アメリカ合衆国
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P20110016 アルデヒド除去組成物 世界知的所有権機関
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P20100044-01 スクリュー真空ポンプ 日本国
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 世界知的所有権機関
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P20110016 アルデヒド除去組成物 ヨーロッパ特許庁
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100044 スクリュー真空ポンプ アメリカ合衆国
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P20090457-01 半導体集積回路とその製造方法 日本国
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 アメリカ合衆国
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P20110016-01 アルデヒド除去組成物 日本国
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 大韓民国
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 台湾
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P20110016 アルデヒド除去組成物 アメリカ合衆国
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P20100251-03 SOI基板のエッチング方法並びにSOI基板上の裏面照射型光電変換モジュール及びその作製方法 日本国
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P20100251-01 超高速ウェットエッチング装置 日本国
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P20100293 新規胆道癌バイオマーカー 日本国
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P20100305 半導体装置およびその製造方法 日本国
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P20100251-02 SOI基盤のエッチング方法及びSOI基板上の裏面照射型光電変換モジュールの作製方法 日本国
2011-107701 11-05-12 2012-119656 12-06-21 14-06-27
P20110033 電極製造方法、電極製造装置及び電極 日本国
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P20100302 多方向投影システム、及び多方面投影方法 日本国
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P20100338 製鋼スラグの燐分離方法および製鋼スラグの燐分離装置 日本国
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P20090458-01 集積回路とその製造方法 日本国
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P20100419 強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置 日本国
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P20100363 表面を炭素被覆されたシリカ材料の製造方法、該製造方法により製造された炭素被覆シリカ材料及びその用途 日本国
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P20130255 高周波数振動・電解ハイブリッド内面研削盤及びその研削方法 日本国
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P20100434 強磁性粒子粉末の製造方法、異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 日本国
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P20090472 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器 ドイツ連邦共和国
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P20090472 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器 アメリカ合衆国
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P20090472 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器 世界知的所有権機関
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P20090472 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器 ヨーロッパ特許庁
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P20090472 中性子用シンチレーターおよび中性子検出器 イギリス
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P20100349 メモリデータ読み出し回路 日本国
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P20110044 反射型フロントスクリーン 日本国
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P20100030-01 半導体装置の製造方法 日本国
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P20110032 稀少金属の製造方法 日本国
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P20090291 小動物用の脳測定用電極ユニットとそれを用いた装置 世界知的所有権機関
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P20100433 酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物の濃縮方法 日本国
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P20090291-01 小動物用の脳測定用電極ユニットとそれを用いた測定システム 日本国
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P20090291 小動物用の脳測定用電極ユニットとそれを用いた装置 アメリカ合衆国
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P20110010 ナノ・マイクロ突起体及びその製造方法 日本国
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P20110049 砒酸鉄粉末の貯蔵方法 日本国
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P20100250 ロボット制御装置、ロボット、およびロボット制御方法 日本国
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P20100306 毛髪の柔軟性評価方法 日本国
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P20100019 金属加工装置 大韓民国
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P20100019 金属加工装置 アメリカ合衆国
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P20110006 ZnO系半導体素子およびその製造方法 日本国
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P20100105-02 相分離構造体およびその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100066 ミリ波撮像装置 世界知的所有権機関
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P20100105-02 相分離構造体およびその製造方法 中華人民共和国
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P20110050 海水淡水化装置 日本国
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P20100066-01 ミリ波撮像装置 日本国
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P20100105-01 有機無機複合粒子、粒子分散液、粒子分散樹脂組成物および有機無機複合粒子の製造方法 中華人民共和国
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P20100307 ケトーシス又はケトアシドーシス予防又は治療剤 日本国
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P20100342 半導体装置 アメリカ合衆国
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P20100342 半導体装置 大韓民国
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P20100311 電力増幅器 日本国
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P20100328 分散アンテナネットワークシステム、及びチャンネル割当方法 日本国
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P20100332 電力変換装置 世界知的所有権機関
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P20100301 照明装置および表示装置 中華人民共和国
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P20100441 シリケート系蛍光体の製造方法およびそれを用いて形成された蛍光体 日本国
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P20100077 アモルファス金属を用いた接合方法及び電子部品のパッケージ 日本国
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P20090402 照明装置および表示装置 大韓民国
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P20090402 照明装置および表示装置 中華人民共和国
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P20110002 半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法 日本国
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P20100403 マイクロアクチュエータ 日本国
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P20100301 照明装置および表示装置 アメリカ合衆国
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P20090402 照明装置および表示装置 アメリカ合衆国
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P20090402 照明装置および表示装置 台湾
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P20100414 全固体電池 日本国
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P20100413 全固体電池 日本国
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P20080430 被測定物の特徴を測定する方法、回析現象を伴う構造体および測定装置 アメリカ合衆国
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P20090419 導電性高分子からなるパターンを備えた多孔質構造体及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20100312 磁気抵抗素子および磁気メモリ 日本国
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P20100359 金属ガラス合金複合化材および金属ガラス合金複合化材の製造方法 日本国
2011-068636 11-03-25 2012-201943 12-10-22
P20100344 マルチコア光ファイバ用モード結合測定方法および測定装置 日本国
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P20100321 シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法 日本国
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P20090419 導電性高分子からなるパターンを備えた多孔質構造体及びその製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20090419 導電性高分子からなるパターンを備えた多孔質構造体及びその製造方法 アメリカ合衆国
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P20090419-01 導電性高分子からなるパターンを備えた多孔質構造体及びその製造方法 日本国
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P20100394 2型糖尿病のDNAマーカー 日本国
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P20090260 生体用Co基合金およびステント 中華人民共和国
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P20100354 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 日本国
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P20090260 生体用Co基合金およびステント フランス
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P20090260 生体用Co基合金およびステント アイルランド
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P20090442 金属微粒子・金属酸化物微粒子の製造方法、金属微粒子・金属酸化物微粒子、並びに金属含有ペーストおよび金属膜・金属酸化物膜 アメリカ合衆国
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P20090260 生体用Co基合金およびステント ヨーロッパ特許庁
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P20090260 生体用Co基合金およびステント アメリカ合衆国
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P20090260 生体用Co基合金およびステント 世界知的所有権機関
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P20100226 個別化治療診断のためのマーカータンパク質絶対量の定量方法 日本国
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P20090260 生体用Co基合金およびステント イギリス
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P20100409 BaTi2O5系複合酸化物の製造方法 日本国
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P20090425-01 BaTi2O5系複合酸化物の製造方法 日本国
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P20100408 BaTi2O5の前駆体粉末、BaTi2O5の前駆体粉末の製造方法、及びBaTi2O5の製造方法 日本国
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P20100412 還元雰囲気下超臨界水熱反応による金属・合金ナノ粒子の合成法 日本国
2011-061295 11-03-18 2012-197473 12-10-18
P20100407 金属酸化物ナノ粒子の結晶面を認識することが出来るペプチド 日本国
2011-060191 11-03-18 2012-193155 12-10-11
P20100410 超臨界水中に於ける金属酸化物表面修飾処理方法 日本国
2011-061517 11-03-18 2012-197195 12-10-18 15-09-11
P20110014 半導体レーザー素子組立体及びその駆動方法 日本国
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P20090353 有機置換ポリゲルマン化合物の製造方法 台湾
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P20100432 アザ糖を生産する微生物 日本国
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P20110137 組織評価方法 日本国
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P20100437 マイクロイメージングプローブ及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20090480 中性子検出用シンチレーター、中性子線検出器及び中性子線現像装置 世界知的所有権機関
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P20100198 画像表示装置、画像表示方法およびコンピュータプログラム 日本国
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P20100418 鉄微粒子、及びその製造方法 日本国
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P20090417 保護継電装置および保護継電方法 アメリカ合衆国
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P20100169-04 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 日本国
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P20100169-01 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 日本国
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P20100169-03 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 日本国
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P20100167 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100167 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20090417 保護継電装置および保護継電方法 カナダ
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P20100167 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法 アメリカ合衆国
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P20100169 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100169 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 アメリカ合衆国
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P20100169 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 世界知的所有権機関
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P20090417 保護継電装置および保護継電方法 中華人民共和国
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P20100169-02 組織染色用蛍光標識体 日本国
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P20100166-01 半導体ナノ粒子集積体 日本国
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P20090417 保護継電装置および保護継電方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100166 半導体ナノ粒子集積体 ドイツ連邦共和国
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P20100166 半導体ナノ粒子集積体 ヨーロッパ特許庁
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P20100166 半導体ナノ粒子集積体 フランス
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P20100166 半導体ナノ粒子集積体 アメリカ合衆国
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P20100166 半導体ナノ粒子集積体 世界知的所有権機関
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P20100167-01 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法 日本国
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P20100425 示温性材料 日本国
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P20100435 希土類添加硫化物蛍光体の製造方法 日本国
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P20100343 非同期データ転送装置 日本国
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P20100438 太陽光発電装置およびその製造方法 日本国
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P20110036 車両移動装置の運転方法 日本国
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P20110035 物体移動装置 日本国
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P20100369 光硬化物の製造方法 日本国
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P20100258 磁気抵抗効果素子および磁気デバイス 日本国
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P20090376-01 ビスリーン酸化化合物及びそれを用いる不斉反応 日本国
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P20090488-01 照明装置および表示装置 日本国
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P20100323 放射線画像検出器 日本国
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P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 台湾
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D20120002 ミリ波撮像機 日本国
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P20090449 半導体トランジスタの製造方法 アメリカ合衆国
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P20090450 半導体トランジスタ アメリカ合衆国
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P20090450 半導体トランジスタ ヨーロッパ特許庁
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P20090450 半導体トランジスタ ドイツ連邦共和国
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P20090449 半導体トランジスタの製造方法 中華人民共和国
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P20090451-01 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 日本国
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P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 アメリカ合衆国
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P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 ヨーロッパ特許庁
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P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 世界知的所有権機関
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P20110162 シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器 日本国
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P20090428 自励発振型半導体レーザ素子及びその駆動方法 アメリカ合衆国
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 ドイツ連邦共和国
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P20090415 学習・記憶障害および運動障害などを伴う中枢神経変性疾患を改善する乾燥植物組織および植物組織抽出物ならびにこれらを含有する医薬品および食品 中華人民共和国
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 イギリス
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P20090432 モードロック半導体レーザ素子及びその駆動方法 アメリカ合衆国
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 フランス
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P20090415-04 学習・記憶障害および運動障害などを伴う中枢神経変性疾患を改善する乾燥植物組織および植物組織抽出物ならびにこれらを含有する医薬品および食品 日本国
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P20090415-03 学習・記憶障害および運動障害などを伴う中枢神経変性疾患を改善する乾燥植物組織および植物組織抽出物ならびにこれらを含有する医薬品および食品 日本国
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P20100397 アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法 日本国
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P20090432 モードロック半導体レーザ素子及びその駆動方法 中華人民共和国
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P20090491 Tio2-Sio2glasses アメリカ合衆国
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P20090491-01 Tio2-Sio2glasses 日本国
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P20110173 非接触電力伝送システム 日本国
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P20090491 Tio2-Sio2glasses 世界知的所有権機関
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P20090493-01 合金組成物、Fe基ナノ結晶合金及びその製造方法、並びに磁性部品 日本国
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P20090257 ピストン冷却装置 世界知的所有権機関
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P20090257-01 ピストン冷却装置 日本国
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P20100244 光ナイキストパルス伝送 日本国
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P20100308 熱電材料 日本国
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P20090411 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ 世界知的所有権機関
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P20090411-01 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ 日本国
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P20090411 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ アメリカ合衆国
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P20090354 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物 世界知的所有権機関
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P20100233 視覚訓練装置 日本国
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P20090353 有機置換ポリゲルマン化合物の製造方法 世界知的所有権機関
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P20090354 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物 アメリカ合衆国
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P20090354-01 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物 日本国
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P20090353-01 有機置換ポリゲルマン化合物の製造方法 日本国
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P20090354 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物 ヨーロッパ特許庁
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P20090455 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 世界知的所有権機関
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P20090455 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20100257 スピントランジスタおよび磁気デバイス 日本国
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P20090455 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20090455-02 磁気抵抗効果素子、磁性膜、及び、磁性膜の製造方法 日本国
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P20100232 微小管集合構造体及びその製造方法 日本国
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P20100289 負荷分散サーバ及びサーバ選択方法及びサーバ選択プログラム 日本国
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P20100360 二次電池用負極材料及びその製造方法 日本国
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P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 台湾
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P20100392 固体撮像素子及びその駆動方法 アメリカ合衆国
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P20100392-01 固体撮像素子及びその駆動方法 日本国
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P20100392 固体撮像素子及びその駆動方法 世界知的所有権機関
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P20100212 等価時間標本化方式のレベルクロスADC アメリカ合衆国
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P20100371 サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 日本国
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P20090339-01 磁性粒子、及びその製造方法、並びに磁性粒子含有製剤 日本国
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P20100340 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 日本国
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P20100339 中性子検出用シンチレータ及び中性子線検出器 日本国
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P20100229 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 日本国
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P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 ヨーロッパ特許庁
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P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 中華人民共和国
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P20090412-01 シリコンウェーハおよび半導体装置 日本国
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P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 大韓民国
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P20100362-01 半導体装置及びその製造方法 日本国
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P20100177 Cuを含まないZr基金属ガラス合金 日本国
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P20110158 シンチレータ用ガーネット型結晶およびこれを用いる放射線検出器 日本国
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P20100362 半導体装置及びその製造方法 アメリカ合衆国
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P20090171 レーザーレーダー装置およびレーザ合成開口レーダ装置 日本国
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P20100090 高結晶性金属酸化物微粒子の製造方法、及びその方法により得られる高結晶性金属酸化物微粒子 日本国
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P20090267 透明導電積層体付基板及びその製造方法 台湾
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P20100262 光学顕微鏡観察機能を備えた電気化学計測用微小電極システム 日本国
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P20090201-02 無線通信システム、送信機およびマルチキャリア通信方法 日本国
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P20090201-03 無線通信システム、送信機およびマルチキャリア通信方法 日本国
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P20100342 半導体装置 日本国
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P20090201-01 無線通信システム、送信機およびマルチキャリア通信方法 世界知的所有権機関
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P20090201 無線通信システム、送信機およびマルチキャリア通信方法 世界知的所有権機関
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P20100402 半導体装置の製造方法 日本国
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P20090300 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ 世界知的所有権機関
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P20100401 窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法 日本国
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P20090300 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ アメリカ合衆国
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P20090267 透明導電積層体付基板及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20090267-01 透明導電積層体付基板及びその製造方法 日本国
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P20100277 半導体装置の製造方法、および半導体装置 日本国
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P20100350 メタルガスケット 日本国
2011-011984 11-01-24 2012-154369 12-08-16 14-10-31
P20100300 強磁性粒子粉末及びその製造方法、並びに異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 日本国
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P20090185-01 高温用フェライト系ステンレス鋼 日本国
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P20090185 高温用フェライト系ステンレス鋼 世界知的所有権機関
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P20100074 パッケージ及びその製造方法 日本国
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