事業案内 公開特許情報

2012年公開 公開特許情報

2019年9月23日現在
管理番号 発明の名称 国名
出願番号 出願日 公開番号 公開日 登録日
P20100357 半導体レーザ光原 日本国
2011-127990 11-06-08 2012-256667 12-12-27
P20090376 ビスリーン酸化化合物及びそれを用いる不斉反応 アメリカ合衆国
13/583,875 11-03-08 2012/330038 12-12-27 13-04-16
P20110048 無動力原子炉冷却システム 日本国
2011-127497 11-06-07 2012-255660 12-12-27 15-11-27
P20090461-01 窒化物単結晶の製造方法 日本国
2013-521388 11-06-23 2012-176318 12-12-27
P20100297 ナノ金属ガラス粒子集合体の製造方法 日本国
2011-130026 11-06-10 2012-255197 12-12-27 15-05-29
P20090461 窒化物単結晶の製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/064469 11-06-23 2012/176318 12-12-27
P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 アメリカ合衆国
13/582,571 11-03-01 2012-325310 12-12-27 15-06-02
P20100353 半導体光変調器 日本国
2011-127991 11-06-08 2012-255857 12-12-27 15-03-06
P20050416 半導体表面の酸化防止及びマイクロラフネス低減方法 アメリカ合衆国
13/601,865 07-01-30 2012/329284 12-12-27
P20090354 高耐熱性含硫黄有機置換ポリゲルマン化合物 ヨーロッパ特許庁
11744661.7 11-02-16 2537852 12-12-26
P20080127-01 ナトリウムを含有するガラス基体を有する電子装置及びその製造方法 日本国
2010-519015 09-06-25 2010-001793 12-12-22
P20060121 乳糖不耐症を改善するための乳酸菌 香港
9112106.7 07-06-26 1134937 12-12-21 12-12-21
P20060001-01 磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ 日本国
2012-181782 06-04-26 2012-253379 12-12-20
P20110038-01 蓄電材料及び該蓄電材料を用いた電子部品 日本国
2012-053674 12-03-09 2012-253321 12-12-20
P20090304 調整弁装置 ドイツ連邦共和国
112010004231.4 10-10-29 112010004231 12-12-20
P20090454 バラスト水処理と該設置を使用したバラスト水無害化処理システム アメリカ合衆国
12/677,032 10-03-05 2012/318751 12-12-20 13-10-15
P20110015 カーバメートの製造方法 日本国
2011-124337 11-06-02 2012-250930 12-12-20
P20100423 組換え微生物、当該組換え微生物を用いたアラニンの製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/050490 12-01-12 2012/172822 12-12-20
P20110039 量子ナノドット、二次元量子ナノドットアレイ及びこれを用いた半導体装置並びに製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/065172 12-06-13 2012/173162 12-12-20
P20110072-01 トルクセンサの製造方法 日本国
2013-520614 12-06-16 2012-173261 12-12-20 16-05-27
P20100098 人獣共通感染症歯周病菌検出用マーカー 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/065408 12-06-15 2012/173244 12-12-20
P20090455 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
13/578,866 11-02-14 2012/320666 12-12-20 16-09-20
P20100300 強磁性粒子粉末及びその製造法、並びに異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 台湾
101102700 12-01-20 201249564 12-12-16
P20110101 画像表示装置とそれに用いるスクリーン 日本国
2011-119631 11-05-27 2012-247646 12-12-13
P20110055 垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ 日本国
2011-119409 11-05-27 2012-248688 12-12-13 14-03-07
P20100420 二酸化炭素有効利用装置 日本国
2011-121845 11-05-31 2012-244982 12-12-13
P20110077 フォトダイオード及びその製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/064394 12-06-04 2012/169462 12-12-13
P20110077-01 フォトダイオード及びその製造方法、フォトダイオードアレイ、分光光度計、並びに固体撮像装置 日本国
2013-519484 12-06-04 2012-169462 12-12-13 15-02-13
P20110065 熱電変換装置 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/063575 12-05-22 2012/169377 12-12-13
P20110028 作業支援システム 日本国
2011-117493 11-05-25 2012-245575 12-12-13 13-03-08
P20100309 摺動部材およびこの摺動部材を用いたシ摺動システム 日本国
2011-120506 11-05-30 2012-246545 12-12-13
P20110066 静電チャック装置 日本国
2011-119498 11-05-27 2012-248693 12-12-13 16-05-20
P20110065-01 熱電変換装置 日本国
2013-519443 12-05-22 2012-169377 12-12-13 15-12-25
P20080161 配線基板及びその製造方法 大韓民国
2012-7030678 09-05-29 2012-135354 12-12-12
P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 ヨーロッパ特許庁
11739765.3 11-02-02 2533270 12-12-12
P20110040 窒素内包フラーレンの製造装置、及び、製造方法 日本国
2011-111890 11-05-18 2012-240880 12-12-10 15-04-03
P20100263 試験可能な不揮発論理ゲート 日本国
2011-113762 11-05-20 2012-242287 12-12-10 15-09-18
P20110012 電源装置および測定用デバイス 日本国
2011-110312 11-05-17 2012-243844 12-12-10
P20100388 抵抗変化素子の動作をシュミレーションする方法 日本国
2011-113873 11-05-20 2012-243149 12-12-10 15-08-21
P20110023 調理容器及びその製造方法 日本国
2011-115113 11-05-23 2012-239763 12-12-10 15-11-20
P20120330 光触媒組成物、壁材、建材、および光触媒組成物の製造方法 日本国
2011-111489 11-05-18 2012-239971 12-12-10 15-07-03
P20100264 論理集積回路のＣＡＤシステム及びスピントロニクス論理集積回路の設計方法 日本国
2011-113617 11-05-20 2012-243137 12-12-10 15-10-02
P20110071 耐食性、通電性に優れたアモルファス合金およびその用途 日本国
2011-112109 11-05-19 2012-241231 12-12-10 16-01-29
P20100313 磁気メモリ 日本国
2011-115327 11-05-24 2012-244079 12-12-10 13-10-11
P20100305 半導体装置およびその製造方法 日本国
2011-107367 11-05-12 2012-238760 12-12-06
P20100293 新規胆道癌バイオマーカー 日本国
2011-107624 11-05-12 2012-237685 12-12-06 15-05-01
P20110033 電極製造方法、電極製造装置及び電極 日本国
2011-105396 11-05-10 2012-237027 12-12-06 15-05-29
P20100302 多方向投影システム、及び多方面投影方法 日本国
2011-105148 11-05-10 2012-237798 12-12-06 14-12-26
P20100317 金属ガラスナノワイヤの製造方法、該製造方法により製造された金属ガラスナノワイヤ、及び金属ガラスナノワイヤを含む触媒 台湾
101114374 12-04-23 201247887 12-12-01 16-07-11
P20100091 バナジウム電池 アメリカ合衆国
13/503,184 10-10-20 2012/301787 12-11-29 16-08-16
P20110055 垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ アメリカ合衆国
13/480,303 12-05-24 2012/300543 12-11-29 15-06-30
P20100338 製鋼スラグの燐分離方法および製鋼スラグの燐分離装置 日本国
2011-103597 11-05-06 2012-233650 12-11-29
P20100182 磁気メモリ素子および磁気メモリ 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/061165 12-04-19 2012/160937 12-11-29
P20100363 表面を炭素被覆されたシリカ材料の製造方法、該製造方法により製造された炭素被覆シリカ材料及びその用途 日本国
2011-102057 11-04-28 2012-232870 12-11-29 14-12-19
P20100329 熱電変換素子および熱電変換方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/063576 12-05-22 2012/161336 12-11-29
P20100367 システムおよびシステムの制御方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/061933 12-05-01 WO2012/160978 12-11-29
P20100422-01 マグネシウム燃料電池 日本国
2012-071644 12-03-27 2012-234799 12-11-29 14-10-17
P20100419 強誘電体膜の製造方法及び強誘電体膜の製造装置 日本国
2011-101527 11-04-28 2012-234927 12-11-29 16-01-08
P20090360 燃料物性決定方法及び ヨーロッパ特許庁
10843825.0 10-05-18 2527834 12-11-28 17-03-08
P20090360 燃料物性決定方法及び ドイツ連邦共和国
10843825.0 10-05-18 2527834 12-11-28 17-03-08
P20090360 燃料物性決定方法及び イギリス
10843825.0 10-05-18 2527834 12-11-28 17-03-08
P20090360 燃料物性決定方法及び フランス
10843825.0 10-05-18 2527834 12-11-28 17-03-08
P20100039 軟X線検出システム アメリカ合衆国
13/110,214 11-05-18 2012/292508 12-11-22 13-04-16
P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 大韓民国
2012-7023482 11-03-01 2012-127640 12-11-22 14-06-16
P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 アメリカ合衆国
13/565,868 12-08-03 2012/292743 12-11-22 15-10-13
P20100434 強磁性粒子粉末の製造方法、異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 日本国
2011-100177 11-04-27 2012-231098 12-11-22 15-12-25
P20100334 自己免疫疾患治療薬のスクリーング方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/062782 12-05-18 2012/157746 12-11-22
P20110071 耐食性、通電性に優れたアモルファス合金およびその用途 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/062682 12-05-17 2012/157712 12-11-22
P20100349 メモリデータ読み出し回路 日本国
2011-096652 11-04-23 2012-230725 12-11-22 15-02-27
P20090360 燃料物性決定方法及び アメリカ合衆国
13/522,357 10-05-18 2012/295365 12-11-22 16-12-20
P20080141 銅配線、銅配線の形成方法および半導体装置 アメリカ合衆国
13/563,976 09-09-15 2012/295438 12-11-22 13-04-16
P20110020 原発性アルドステロン症の腺腫鑑別法及び18-オキソコルチゾール（18-oxoF）、18-ヒドロキシコルチゾール（18-OHF）の測定法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/068506 11-08-15 WO2012/157130 12-11-22
P20090449 半導体トランジスタの製造方法 中華人民共和国
201180011875.6 11-03-02 102792422 12-11-21
P20090451 積層体およびその製造方法、並びにそれを用いた機能素子 中華人民共和国
201180011941.X 11-03-01 102791475 12-11-21 16-01-20
P20090263 窒化物結晶の製造方法、製造容器および部材 大韓民国
2012-7013453 10-11-25 2012-127397 12-11-21
P20100369 光硬化物の製造方法 台湾
101108042 12-03-09 201245853 12-11-16
P20100343 非同期データ転送装置 台湾
101108260 12-03-12 201246514 12-11-16
P20110010 ナノ・マイクロ突起体及びその製造方法 日本国
2011-091972 11-04-18 2012-223842 12-11-15 16-04-28
P20110049 砒酸鉄粉末の貯蔵方法 日本国
2011-092257 11-04-18 2012-224492 12-11-15
P20110141 Ｘ線吸収蛍光ナノ粒子 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/062062 12-05-10 2012/153820 12-11-15
P20110044 反射型フロントスクリーン 日本国
2011-095823 11-04-22 2012-226237 12-11-15 16-08-05
P20090491 Tio2-Sio2glasses アメリカ合衆国
13/575,290 11-02-24 2012/289393 12-11-15
P20100250 ロボット制御装置、ロボット、およびロボット制御方法 日本国
2011-090998 11-04-15 2012-223829 12-11-15 15-10-23
P20110032 稀少金属の製造方法 日本国
2011-095163 11-04-21 2012-224926 12-11-15 15-03-20
P20100433 酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物の濃縮方法 日本国
2011-095164 11-04-21 2012-223729 12-11-15 15-02-13
P20100306 毛髪の柔軟性評価方法 日本国
2011-090500 11-04-14 2012-225652 12-11-15 15-09-11
P20110006 ZnO系半導体素子およびその製造方法 日本国
2011-089002 11-04-13 2012-222275 12-11-12 15-09-04
P20100307 ケトーシス又はケトアシドーシス予防又は治療剤 日本国
2011-086926 11-04-11 2012-219065 12-11-12
P20110050 海水淡水化装置 日本国
2011-088396 11-04-12 2012-217963 12-11-12
P20100311 電力増幅器 日本国
2011-082697 11-04-04 2012-222394 12-11-12
P20100328 分散アンテナネットワークシステム、及びチャンネル割当方法 日本国
2011-082780 11-04-04 2012-222398 12-11-12 14-07-11
P20100290-01 地中熱交換システムと熱交換井の施工方法 日本国
2012-067107 12-03-23 2012-215377 12-11-08
P20080477 バイ・セクション型半導体レーザ素子及びその製造方法、並びに、バイ・セクション型半導体レーザ素子の駆動方法 アメリカ合衆国
13/553,380 10-03-18 2012/281726 12-11-08 13-11-05
P20100441 シリケート系蛍光体の製造方法およびそれを用いて形成された蛍光体 日本国
2011-080173 11-03-31 2012-214592 12-11-08
P20080494 角膜移植用シート アメリカ合衆国
13/391,530 10-08-16 2012/282318 12-11-08
P20100077 アモルファス金属を用いた接合方法及び電子部品のパッケージ 日本国
2011-076899 11-03-30 2012-210639 12-11-01
P20090329 (仮)表面保護膜、接ガス部材、ガス処理装置及びメカニカルポンプ アメリカ合衆国
13/511,677 10-11-09 2012/273133 12-11-01
P20100403 マイクロアクチュエータ 日本国
2011-076900 11-03-30 2012-210668 12-11-01 16-05-20
P20100318 バックライトシステム、表示装置およびバックライトの制御方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/060502 12-04-18 WO2012/147594 12-11-01
P20110002 半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法 日本国
2011-076277 11-03-30 2012-212706 12-11-01
P20100434 強磁性粒子粉末の製造方法、異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/061176 12-04-26 2012/147833 12-11-01
P20100317 金属ガラスナノワイヤの製造方法、該製造方法により製造された金属ガラスナノワイヤ、及び金属ガラスナノワイヤを含む触媒 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/060309 12-04-17 2012/147559 12-11-01
P20080101 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 中華人民共和国
201210243672.6 09-07-28 102760633 12-10-31 15-09-02
P20100314 口腔洗浄装置および口腔洗浄方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/060411 12-04-18 2012/144505 12-10-26
P20100422 マグネシウム燃料電池 世界知的所有権機関
PCT/JP2012/057972 12-03-27 2012/144301 12-10-26
P20070266-01 磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ 日本国
2012-142897 07-12-28 2012-209573 12-10-25 14-02-28
P20100414 全固体電池 日本国
2011-073266 11-03-29 2012-209104 12-10-25 14-11-28
P20110219 病理診断情報生成方法及び病理診断情報生成システム 日本国
2011-229314 11-10-19 2012-208106 12-10-25
P20100413 全固体電池 日本国
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P20110044 反射型フロントスクリーン アメリカ合衆国
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P20080102 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 大韓民国
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P20100394 ２型糖尿病のＤＮＡマーカー 日本国
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P20100354 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 日本国
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P20100366 白色発光体 日本国
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P20100344 マルチコア光ファイバ用モード結合測定方法および測定装置 日本国
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P20100359 金属ガラス合金複合化材および金属ガラス合金複合化材の製造方法 日本国
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P20100321 シリコン結晶、シリコン結晶の製造方法およびシリコン多結晶インゴットの製造方法 日本国
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P20080508 クロロプレン系重合体の製造方法、及びこれにより得られるポリクロロプレンラティックス、接着剤組成物 インド
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P20100408 ＢａＴｉ２Ｏ５の前駆体粉末、ＢａＴｉ２Ｏ５の前駆体粉末の製造方法、及びＢａＴｉ２Ｏ５の製造方法 日本国
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P20100410 超臨界水中に於ける金属酸化物表面修飾処理方法 日本国
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P20100412 還元雰囲気下超臨界水熱反応による金属・合金ナノ粒子の合成法 日本国
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P20100409 ＢａＴｉ２Ｏ５系複合酸化物の製造方法 日本国
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P20100226 個別化治療診断のためのマーカータンパク質絶対量の定量方法 日本国
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P20110006 ZnO系半導体素子 アメリカ合衆国
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P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 中華人民共和国
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P20110157 シンチレータ用ガーネット型結晶、及びこれを用いる放射線検出器 台湾
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P20110137 組織評価方法 日本国
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P20100407 金属酸化物ナノ粒子の結晶面を認識することが出来るペプチド 日本国
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P20100432 アザ糖を生産する微生物 日本国
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P20110014 半導体レーザー素子組立体及びその駆動方法 日本国
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P20100418 鉄微粒子、及びその製造方法 日本国
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P20100198 画像表示装置、画像表示方法およびコンピュータプログラム 日本国
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P20100332 電力変換装置 世界知的所有権機関
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P20100435 希土類添加硫化物蛍光体の製造方法 日本国
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P20090043-02 シート状触覚センサシステム アメリカ合衆国
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P20100258 磁気抵抗効果素子および磁気デバイス 日本国
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P20100343 非同期データ転送装置 日本国
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P20100438 太陽光発電装置およびその製造方法 日本国
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P20110168 不揮発機能メモリ回路 日本国
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P20100426 半導体装置の製造方法 日本国
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P20100425 示温性材料 日本国
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P20050091 金属酸化物膜及び積層体、ならびにその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100348 銅合金および銅合金の製造方法 世界知的所有権機関
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P20110036 車両移動装置の運転方法 日本国
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P20110140 免疫組織染色法、およびこれを用いた抗体医薬の有効性を判定する方法 世界知的所有権機関
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P20110035 物体移動装置 日本国
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P20090043-02 シート状触覚センサシステム 中華人民共和国
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P05011402 ナノ粒子の濃縮方法 中華人民共和国
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P20090263 窒化物結晶の製造方法、製造容器および部材 ヨーロッパ特許庁
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P20080302 コンタクト形成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置 大韓民国
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P20090360 燃料物性決定方法及び 大韓民国
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P20100370-01 金属ナノ粒子及び金属ナノ粒子の製造方法 日本国
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P20060014-01 窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、およびデバイス 日本国
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P20090304 調整弁装置 アメリカ合衆国
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P20090134 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 アメリカ合衆国
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P20090314 窒化アルミニウム単結晶の製造方法 アメリカ合衆国
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P20100323 放射線画像検出器 日本国
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P20090360 燃料物性決定方法及び 中華人民共和国
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P20120133 磁気抵抗素子および磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20090188 相変化材料および相変化型メモリ素子 アメリカ合衆国
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P20090263 窒化物結晶の製造方法、製造容器および部材 アメリカ合衆国
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P20100437 マイクロイメージングプローブ及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20110162 シンチレータ用ガーネット型結晶、及び、これを用いる放射線検出器 日本国
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P20050335-02 高機能性二重特異性抗体 日本国
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P20090248 生体組織分析プローブ及びその利用法 世界知的所有権機関
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P20110014 半導体レーザー素子組立体及びその駆動方法 アメリカ合衆国
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P20100343 非同期データ転送装置 世界知的所有権機関
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P20110138 組織評価方法 世界知的所有権機関
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P20110014 半導体レーザー素子組立体及びその駆動方法 中華人民共和国
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P20100411 燃料物性決定方法及び燃料物性決定装置 世界知的所有権機関
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P20090088 信号抽出装置 アメリカ合衆国
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P20090290 低侵襲医療器具 アメリカ合衆国
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P20100325 放射線検出器及びシンチレーター 世界知的所有権機関
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P20100369 光硬化物の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100233 視覚訓練装置 日本国
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P20100257 スピントランジスタおよび磁気デバイス 日本国
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P20100339 中性子検出用シンチレータ及び中性子線検出器 日本国
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P20100340 中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 日本国
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P20100341 チューナブルフィルタ及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20100319 脳プローブ及びその製造方法 世界知的所有権機関
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P20100371 サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 日本国
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P05032403 アメリカ合衆国
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P20090504 金属酸化膜の成膜方法、酸化マンガン膜の成膜方法及びコンピューター読み取り可能な記憶媒体 中華人民共和国
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P20090043-02 シート状触覚センサシステム ドイツ連邦共和国
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P20090043 触覚センサシステム ヨーロッパ特許庁
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P20090043 触覚センサシステム ドイツ連邦共和国
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P20100091 バナジウム電池 大韓民国
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P20090157-01 センサ装置およびセンサ装置の製造方法 大韓民国
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P20090134 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 大韓民国
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P20090171 レーザーレーダー装置およびレーザ合成開口レーダ装置 日本国
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P20100371 サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 台湾
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P20100350 メタルガスケット 日本国
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P20100401 窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法 日本国
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P20100402 半導体装置の製造方法 日本国
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P20100090 高結晶性金属酸化物微粒子の製造方法、及びその方法により得られる高結晶性金属酸化物微粒子 日本国
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P20100262 光学顕微鏡観察機能を備えた電気化学計測用微小電極システム 日本国
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P20100296 熱電変換素子、熱電変換素子の製造方法および熱電変換方法 世界知的所有権機関
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P20100392 固体撮像素子及びその駆動方法 世界知的所有権機関
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P20090271 薄膜とその形成方法、及びその薄膜を備えた半導体発光素子 アメリカ合衆国
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P20090293-02 光増幅装置 日本国
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P20100277 半導体装置の製造方法、および半導体装置 日本国
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P20100300 強磁性粒子粉末及びその製造方法、並びに異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 日本国
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P20090157-01 センサ装置およびセンサ装置の製造方法 アメリカ合衆国
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P20100192-01 Ｘ線シンチレータ用材料 日本国
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P20090488-01 照明装置および表示装置 日本国
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P20110157 シンチレータ用ガーネット型結晶、及びこれを用いる放射線検出器 世界知的所有権機関
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P20080446-01 プラズマ処理装置 日本国
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P20090458-01 集積回路とその製造方法 日本国
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P20090052 一検体用多重培養装置 日本国
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P20100236 半導体レーザ装置組立体 ヨーロッパ特許庁
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P20100371 サブマウント、サブマウント組立体及びサブマウント組立方法 中華人民共和国
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P20100424 中性子線検出器 世界知的所有権機関
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P20100402 半導体装置の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100298-01 シリケート蛍光体およびその製造方法 日本国
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P20100074 パッケージ及びその製造方法 日本国
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P20090125 ウェット処理装置 ドイツ連邦共和国
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P20100285-01 半導体レーザ素子 日本国
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P20100277 半導体装置の製造方法、および半導体装置 世界知的所有権機関
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P20090059 ヒトにおける新たな腎疾患マーカー物質 アメリカ合衆国
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P20100401 窒化ガリウム系半導体装置および半導体装置の製造方法 世界知的所有権機関
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P20090228 ナノ結晶チタン合金およびその製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20080440 持続性ドラッグデリバリーシステム ヨーロッパ特許庁
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P20090228 ナノ結晶チタン合金およびその製造方法 ドイツ連邦共和国
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P20100136 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 台湾
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P20090228 ナノ結晶チタン合金およびその製造方法 イギリス
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P20080440 持続性ドラッグデリバリーシステム イギリス
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P20080440 持続性ドラッグデリバリーシステム ドイツ連邦共和国
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P20080440 持続性ドラッグデリバリーシステム フランス
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P20090228 ナノ結晶チタン合金およびその製造方法 フランス
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P20090114 高屈折率粉末、その製造方法及び用途 大韓民国
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P20100312 磁気抵抗素子および磁気メモリ アメリカ合衆国
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P20100280 電気化学計測チップ用電極装置 日本国
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P20100281 電気化学計測チップ用電極装置 日本国
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P20100279 電気化学計測チップ用電極装置 日本国
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P20100300 強磁性粒子粉末及びその製造法、並びに異方性磁石、ボンド磁石及び圧粉磁石 世界知的所有権機関
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P20090147 ミリ波イメージングセンサ インドネシア
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P20080353 光電変換素子及び太陽電池 アメリカ合衆国
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P20100284 静電チャック装置 日本国
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P20090136 低誘電率絶緑膜 アメリカ合衆国
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P20100342 半導体装置 アメリカ合衆国
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P20090016 発現効率が改善された光受容チャンネルロドプシン アメリカ合衆国
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P20100291 マイクロ波帯昇圧整流回路及びこれを用いた無線タグ装置と無線タグシステム 日本国
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P20090188 相変化材料および相変化型メモリ素子 中華人民共和国
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 フランス
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 ドイツ連邦共和国
10815489.9 10-09-13 2479298 12-07-25 15-02-25
P20090178 銅合金線材およびその製造方法 イギリス
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P20090178 銅合金線材およびその製造方法 フランス
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P20090178 銅合金線材およびその製造方法 ドイツ連邦共和国
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P20090188 相変化材料および相変化型メモリ素子 大韓民国
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P20090088 信号抽出装置 ヨーロッパ特許庁
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 イギリス
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P20090106 電子装置用配線基板、その製造方法及びタッチパネル 大韓民国
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P20050062 金属ガラス積層体、その製造方法及びその利用 ヨーロッパ特許庁
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P20090178 銅合金線材およびその製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20090063 配線接続方法と機能デバイス 大韓民国
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P20140346 Fe基ナノ結晶合金粉末及びその製造方法、並びに、圧粉磁心及びその製造方法 日本国
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P20100069 シンチレータ用発光材料、それを用いたシンチレータ及びそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 日本国
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P20100299 アルカリ土類金属シリケート蛍光体の製造方法 日本国
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P20090304 調整弁装置 中華人民共和国
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P20100124 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 台湾
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P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 台湾
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P20090063 配線接続方法と機能デバイス ヨーロッパ特許庁
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P20090271 薄膜とその形成方法、及びその薄膜を備えた半導体発光素子 中華人民共和国
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P20090271 薄膜とその形成方法、及びその薄膜を備えた半導体発光素子 大韓民国
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P20090134 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 中華人民共和国
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P20090228 ナノ結晶チタン合金およびその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100292 金属デポジッションを用いたナノインプリント金型の製造方法 日本国
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P20090147 ミリ波イメージングセンサ アメリカ合衆国
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P20100291 マイクロ波帯昇圧整流回路及びこれを用いた無線タグ装置と無線タグシステム 世界知的所有権機関
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P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 日本国
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P20080508 クロロプレン系重合体の製造方法、及びこれにより得られるポリクロロプレンラティックス、接着剤組成物 アメリカ合衆国
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P20100275 指向性放射線検出器および透明遮蔽材 日本国
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P20080481 角膜実質細胞培養用スキャフォールド 日本国
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P20100241 圧粉磁心、及び圧粉磁心を用いたインダクタ 日本国
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P20100271 放射線用コメリメーター、放射線検出器、放射線検出方法 日本国
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P20100255 エンドトキシンの濃度検出方法及びエンドトキシン検出用電極チップ 日本国
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P20110129 スクリーン及び投射システム 日本国
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P20100069 シンチレータ用発光材料、それを用いたシンチレータ及びそれを用いた放射線検出器並びに放射線検査装置 世界知的所有権機関
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P20100240-01 p型熱電変換材料及びその製造方法、並びに、熱電変換素子及び熱電変換モジュール 日本国
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P20090152 ポリクロロプレンラテックスの製造方法、ポリクロロプレンラテックス及びこれを用いた接着剤 中華人民共和国
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P20100285 半導体レーザ素子 中華人民共和国
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P20070386 光電変換素子製造装置及び方法、並びに光電変換素子 大韓民国
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P20100126 縮退系大環状化合物、並びに、その結晶及び製造方法 日本国
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P20100280 電気化学計測チップ用電極装置 アメリカ合衆国
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P04112901-01 磁性体含有絶縁体の製造方法 日本国
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P20100346 車両移動装置の運転方法 日本国
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P20100281 電気化学計測チップ用電極装置 アメリカ合衆国
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P20100279 電気化学計測チップ用電極装置 アメリカ合衆国
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P20100191 指示碍子及び絶緑構造物 日本国
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P20100259 フッ化物単結晶、真空紫外発光素子及びシンチレーター 日本国
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P20100176 ナノポーラス・セラミックス複合金属 世界知的所有権機関
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P20100345 物体移動装置 日本国
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P20100193 窒化ホウ素粉末の表面処理方法 日本国
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P20100197 抗がん作用を有するマクロライド化合物 世界知的所有権機関
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P20100252 トンネル磁気抵抗素子の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100285 半導体レーザ素子 日本国
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 大韓民国
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P20090152 ポリクロロプレンラテックスの製造方法、ポリクロロプレンラテックス及びこれを用いた接着剤 ヨーロッパ特許庁
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P20080494 角膜移植用シート ヨーロッパ特許庁
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P20100261 水溶性ビスマス化合物とその製造方法 日本国
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P20100219 切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具 日本国
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P20100260 中性子用シンチレータおよび中性子検出器 世界知的所有権機関
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P20100251-01 超高速ウェットエッチング装置 日本国
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P20100225 アレイ型超音波送波器 日本国
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P20100242-01 処理装置 日本国
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P20100218 切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具 日本国
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P20100144 銅合金及び銅合金の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100251-02 SOI基盤のエッチング方法及びSOI基板上の裏面照射型光電変換モジュールの作製方法 日本国
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P20090228 ナノ結晶チタン合金およびその製造方法 中華人民共和国
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P20090259 磁歪膜、磁歪素子、トルクセンサ、力センサ、圧力センサおよびその製造方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100123 プラズマ処理装置 台湾
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 アメリカ合衆国
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P20100096 プローブの芯出し方法 日本国
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P20100268 ナノ結晶含有チタン合金およびその製造方法 日本国
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P20090434 透析膜の評価方法 日本国
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P20090433 染色体優性多発性嚢胞腎の判定方法及び予防・治療薬のスクリーニング方法 日本国
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P20090192 半導体装置及び半導体装置の製造方法 ドイツ連邦共和国
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P20060138 トランジスタ アメリカ合衆国
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P20080380-01 半導体装置及びその製造方法 日本国
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P20100133 水分散性のステルスナノ粒子 日本国
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P20090067 超音波治療装置 世界知的所有権機関
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P20090178 銅合金線材およびその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100285 半導体レーザ素子 ヨーロッパ特許庁
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P20100062 合金組成物、Fe基ナノ結晶合金及びその製造方法、並びに磁性部品 ヨーロッパ特許庁
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P20100055 テラヘルツ電磁波検出装置 世界知的所有権機関
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P20090093 被測定物の特性を測定する方法 アメリカ合衆国
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P20090152 ポリクロロプレンラテックスの製造方法、ポリクロロプレンラテックス及びこれを用いた接着剤 アメリカ合衆国
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P20080408 人工多能性幹細胞からの上皮系前駆細胞・幹細胞群及び角膜上皮細胞群の分化誘導方法 アメリカ合衆国
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P20090114 高屈折率粉末、その製造方法及び用途 アメリカ合衆国
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P20100239 燃焼実験装置 日本国
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 台湾
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P20090504 金属酸化膜の成膜方法、酸化マンガン膜の成膜方法及びコンピューター読み取り可能な記憶媒体 大韓民国
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P20090116 成膜方法、前処理装置及び処理システム アメリカ合衆国
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P20100268 ナノ結晶含有チタン合金およびその製造方法 世界知的所有権機関
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P20100237 硫化物蛍光体 日本国
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P20090497 物体または形状の情報表現方法 世界知的所有権機関
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P20050248 成膜用材料及び成膜用材料のの推定方法 ヨーロッパ特許庁
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P20090178 銅合金線材およびその製造方法 中華人民共和国
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P20090179 銅合金箔、それを用いたフレキシブルプリント基板および銅合金箔の製造方法 中華人民共和国
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P20100017 スイッチ装置 日本国
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P20100238 通路選択装置、プログラム及び方法 世界知的所有権機関
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P20100132 コヒーレント光時分割多重信号の復調方式 日本国
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P20090259 磁歪膜、磁歪素子、トルクセンサ、力センサ、圧力センサおよびその製造方法 アメリカ合衆国
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P20090174 配線基板プラズマ処理装置及び配線基板の製造方法 アメリカ合衆国
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P20090125 ウェット処理装置 アメリカ合衆国
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P20100239 燃焼実験装置 世界知的所有権機関
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P20100247 ＴＯＦ質量分析によるＨＩＰＩＭＳスパッタ源のプラズマ解析方法及びその装置 日本国
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P20100439-01 薄い樹脂へ金属ガラスを溶射する方法、及び金属ガラス被膜を有する複合材料 日本国
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P20100214 タンデム加速装置および電荷交換器 世界知的所有権機関
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P20100057 磁歪力センサ用板状部材の製造方法、磁歪力センサ用リング状部材及び磁歪力センサ用リング状部材の製造方法 日本国
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P20090192 半導体装置及び半導体装置の製造方法 中華人民共和国
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P20090125 ウェット処理装置 中華人民共和国
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P20090193 光電変換部材 中華人民共和国
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P20100062 合金組成物、Fe基ナノ結晶合金及びその製造方法、並びに磁性部品 中華人民共和国
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P20080508 クロロプレン系重合体の製造方法、及びこれにより得られるポリクロロプレンラティックス、接着剤組成物 中華人民共和国
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P20050169-01 プラズマ発生装置 日本国
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P20100220 酸窒化物蛍光体とその製造方法 日本国
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P20100052 微粒子搬送装置及びこの装置を用いた微粒子の浄化方法 日本国
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 日本国
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P20090192 半導体装置及び半導体装置の製造方法 アメリカ合衆国
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P20090190 パターン形成用光硬化性組成物及びこれを用いた膜厚測定方法 大韓民国
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P20090073 シンチレーター 中華人民共和国
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P20090101 カーボンナノチューブおよびその製造方法 中華人民共和国
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P20090116 成膜方法、前処理装置及び処理システム 中華人民共和国
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P20090147 ミリ波イメージングセンサ 中華人民共和国
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P20090192 半導体装置及び半導体装置の製造方法 大韓民国
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P20100236 半導体レーザ装置組立体 日本国
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P20100221 金属フッ化物共晶体及び中性子用シンチレーター 世界知的所有権機関
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P20090193 光電変換部材 アメリカ合衆国
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P20090140 固体撮像素子 アメリカ合衆国
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K20150002 超音波発受信器および超音波計測装 日本国
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P20100228 コルキライト型結晶、中性子検出用シンチレーター及び中性子線検出器 世界知的所有権機関
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P20100078 情報転送システム 日本国
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P20100062 合金組成物、Fe基ナノ結晶合金及びその製造方法、並びに磁性部品 インド
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P20100231 金属フッ化物結晶及び発行素子 世界知的所有権機関
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P20100222 金属フッ化物共晶体、中性子用シンチレーター及び中性子撮像装置 世界知的所有権機関
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P20090440 金微粒子の製造方法 日本国
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P20100083 光ファイバーおよびそれを用いた水中衝撃波発生装置 日本国
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P20100212 データ処理装置、データ処理システム、測定システム、データ処理方法、測定方法、電子デバイスおよびプログラム 日本国
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 ドイツ連邦共和国
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P20090097 積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法 中華人民共和国
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 ヨーロッパ特許庁
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P20100436 タウイメージングプローブ 世界知的所有権機関
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P20100137 リフレクトアレイ 中華人民共和国
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P20100210 半導体装置の製造方法および半導体装置 日本国
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P20100215 高延性、高耐食性で耐遅れ破壊性に優れたNi基アモルファス合金 世界知的所有権機関
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P20100235 半導体レーザ装置組立体及び半導体光増幅器組立体 アメリカ合衆国
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P20100212 等価時間標本化方式のレベルクロスＡＤＣ アメリカ合衆国
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P20100236 半導体レーザ装置組立体 アメリカ合衆国
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P20100209 触覚センサシステム 日本国
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P20080507-01 磁気－電気のエネルギー変換装置、起電力発生装置、および磁気センサー装置 アメリカ合衆国
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P20080357 ＬＨ型ダイアボディ型二重特異性抗体 アメリカ合衆国
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P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 アメリカ合衆国
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P20090422 分光計測装置 日本国
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P20060139 半導体装置 ヨーロッパ特許庁
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P20080003 太陽電池およびその製造方法並びにBaSi層の成膜方法 中華人民共和国
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P20090193 光電変換部材 大韓民国
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P20090056 水分発生用反応炉 中華人民共和国
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P20080204 半導体レーザ及びその駆動方法、並びに、半導体レーザ装置 中華人民共和国
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P20100202 画像表示装置 世界知的所有権機関
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P20070002 マグネトロンスパッタ装置 大韓民国
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P20100160 生体磁気計測装置、生体磁気計測システム、及び生体磁気計測方法 世界知的所有権機関
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P20100137 リフレクトアレイ　 日本国
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P20100165 生体物質検出方法 世界知的所有権機関
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P20100169 組織染色方法、組織評価方法および生体物質検出方法 世界知的所有権機関
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P20100114 多孔質金属を電気的接続に用いたデバイス、及び配線接続方法 日本国
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P20100079 多層光配線用光入出力構造 日本国
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P20100085 血液透析痙攣抑制剤 世界知的所有権機関
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P20100295 非接触電力伝送システム 日本国
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P20080258 代謝解析プログラム、代謝解析装置および代謝解析方法 ヨーロッパ特許庁
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P20100374 音波―スピン流変換素子 世界知的所有権機関
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P20100155 反射型フロントスクリーンとそれを用いた立体表示システム 日本国
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P20100166 半導体ナノ粒子集積体 世界知的所有権機関
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P20100137 リフレクトアレイ アメリカ合衆国
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P20100108 窒化アルミニウム系粒子の製造方法、及び窒化アルミニウム系粒子の製造装置 日本国
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P20080003 太陽電池およびその製造方法並びにBaSi層の成膜方法 アメリカ合衆国
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P20100167 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法 世界知的所有権機関
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P20100022 反射型再帰性フロントスクリーンおよび反射型立体表示用スクリーン 日本国
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P20100163 電磁シールドシート 日本国
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P20100006 コヒーレント光時分割多重伝送装置 日本国
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P20100149 フッ化物単結晶、真空紫外発光素子、シンチレーター及びフッ化物単結晶の製造方法 日本国
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P20100103 半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造方法 日本国
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P20090447 Ｎａ―Ｓｉ―Ｂ組成を有するホウ化物及びホウ化物反応焼結体 世界知的所有権機関
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P20100146 反射型ＬＣＤ用異方性拡散板 日本国
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P20090503 トラヒック誘導ネットワーク装置、トラヒック誘導方法、及びプログラム 日本国
2010-176738 10-08-05 2012-039323 12-02-23
P20100073 ヒト型化抗EGFR抗体リジン置換可変領域断片及びその利用 日本国
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P20100105-02 相分離構造体およびその製造方法 日本国
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P20100134 光電変換部材 日本国
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P20090055 電子装置及びその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100063 放射指向特性推定方法とその装置とプログラム 日本国
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P20050263-01 流量レンジ可変型流量制御装置 日本国
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P20100021 評価用補助具 日本国
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P20100039 X線検出システム 日本国
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P20100045 X線検出システム及びX線検出方法 日本国
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P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 イタリア
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P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 ドイツ連邦共和国
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P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 ヨーロッパ特許庁
10761674.0 10-04-05 2418175 12-02-15 17-02-01
P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 フランス
10761674.0 10-04-05 2418175 12-02-15 17-02-01
P20090017 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 イギリス
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P20090017 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 ドイツ連邦共和国
10761671.6 10-04-05 2418174 12-02-15 16-10-05
P20090017 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 デンマーク
10761671.6 10-04-05 2418174 12-02-15 16-10-05
P20090017 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 ヨーロッパ特許庁
10761671.6 10-04-05 2418174 12-02-15 16-10-05
P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 イギリス
10761674.0 10-04-05 2418175 12-02-15 17-02-01
P20110011 シンチレーター及び放射線検出器 ドイツ連邦共和国
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P20110011 シンチレーター及び放射線検出器 ヨーロッパ特許庁
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P20110011 シンチレーター及び放射線検出器 イギリス
12768181.5 12-04-02 2695928 12-02-12 17-07-05
P20110011 シンチレーター及び放射線検出器 イタリア
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P20110011 シンチレーター及び放射線検出器 フランス
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P20110011 シンチレーター及び放射線検出器 スペイン
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P20090388 磁性粒子およびその製造方法 日本国
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P20090036 電気透析装置 アメリカ合衆国
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P20090489 画像入力装置、画像入力方法及び画像入力プログラム 日本国
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P20080450 粒子線画像検出器 ヨーロッパ特許庁
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P20100105-02 相分離構造体およびその製造方法 アメリカ合衆国
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P20100125 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 日本国
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P20100124 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 日本国
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P20100205 ミリ波撮像装置 日本国
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P20090164 超音波顕微鏡 日本国
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P20100021 評価用補助具 世界知的所有権機関
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P20100127 処理装置 日本国
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P20080181 発電装置 アメリカ合衆国
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P20100123 プラズマ処理装置 日本国
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P20090066 回転マグネットスパッタ装置 大韓民国
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P20100120 ホスウィッチ型熱中性子検出器 世界知的所有権機関
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P20090498 窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイス 日本国
2010-153621 10-07-06 2012-017212 12-01-26
P20090388 磁性粒子およびその製造方法 アメリカ合衆国
13/189,070 11-07-22 2012/18665 12-01-26 14-06-17
P20100065 無線通信システムならびに送信装置および受信装置 日本国
2010-156389 10-07-09 2012-019425 12-01-26
P20100011 三次元集積回路の製造方法及び装置 アメリカ合衆国
13/258,664 10-03-10 2012/21563 12-01-26 13-01-08
P20090146 ミリ波撮像装置およびプログラム インドネシア
201200048 10-06-04 2012/485 12-01-26
P20090493-01 合金組成物、Fe基ナノ結晶合金及びその製造方法、並びに磁性部品 日本国
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P20100125 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 世界知的所有権機関
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P20100124 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 世界知的所有権機関
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P20090373 アナログ・ディジタル変換装置 日本国
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P20090358 信号処理装置、信号処理プログラム及び信号処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/066007 11-07-13 2012/8500 12-01-19
P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 日本国
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P20100093 半導体光増幅器 日本国
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P20100102 磁気ポンプ 世界知的所有権機関
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P20100104 窒化アルミニウム結晶の製造方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/066146 11-07-14 2012/008545 12-01-19
P20100205 ミリ波撮像装置 世界知的所有権機関
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K262-983 磁気センサ及び磁気記憶装置 アメリカ合衆国
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P20100123 プラズマ処理装置 世界知的所有権機関
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P20050480-01 プロジェクション立体表示ディスプレイ 日本国
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P20090018 ニオブ酸アルカリ金属塩粒子の製造方法、およびニオブ酸アルカリ金属塩粒子 大韓民国
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P20100061 ストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法 台湾
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P20090457 半導体集積回路とその製造方法 台湾
100117024 11-05-13 201203523 12-01-16 17-01-11
P20080450 粒子線画像検出器 大韓民国
2011-7023024 10-03-19 20120004435 12-01-12
P20100113 磁界オフセットを補正した垂直型トンネル磁気抵抗効果素子 とそれを用いた磁気メモリ 世界知的所有権機関
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P20090418 半導体薄膜パターンの製造方法、半導体薄膜パターンおよび結晶性半導体薄膜パターン 日本国
2010-143667 10-06-24 2012-009595 12-01-12
P20100087 ３次元データ生成装置、生成方法およびプログラム 日本国
2010-142445 10-06-23 2012-008685 12-01-12
P20080430 被測定物の特徴を測定する方法、回析現象を伴う構造体および測定装置 アメリカ合衆国
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P20100112 磁気抵抗効果素子およびそれを用いたランダムアクセスメモリ 世界知的所有権機関
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P20100026 階段昇降式移動車 日本国
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P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 中華人民共和国
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P20100093 半導体光増幅器 中華人民共和国
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P20100062 合金組成物、Fe基ナノ結晶合金及びその製造方法、並びに磁性部品 大韓民国
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P20100100 合成石英ガラスの仮想温度の測定方法 世界知的所有権機関
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K285-007-01 リチウム電池 日本国
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P20090352 TSLPを恒常的に高発現する細胞、及び前記細胞を利用したTSLP調節剤のスクリーニング方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/003329 11-06-13 2012/1889 12-01-05
P20090366 コレステロールの生合成を抑制するために用いられる組成物 日本国
2010-140927 10-06-21 2012-001523 12-01-05
P20100092 アルデヒドを用いた水熱合成反応の制御方法 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/064954 11-06-29 2012/2456 12-01-05
P20100068 ZnOシンチレータ及びその製造方法、並びにZnOシンチレータを用いた放射線検出器、放射線検査装置又はα線カメラ 日本国
2010-139269 10-06-18 2012-001662 12-01-05
P20080204 半導体レーザ及びその駆動方法、並びに、半導体レーザ装置 アメリカ合衆国
13/212,249 09-07-21 2012/2695 12-01-05 13-11-19
P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 アメリカ合衆国
13/166,900 11-06-23 2012/2271 12-01-05 14-07-22
P20100035 タンパク質を含包したカーボンナノチューブフィルム、それを電極とするセンサ及び発電デバイス 世界知的所有権機関
PCT/JP2011/064594 11-06-24 2012/2290 12-01-05
P20100093 半導体光増幅器 アメリカ合衆国
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P20100056 多色発光細胞を用いた免疫毒性評価システム 世界知的所有権機関
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P20080204 半導体レーザ及びその駆動方法、並びに、半導体レーザ装置 アメリカ合衆国
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P20100003 歩行解析システム 日本国
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P20100040 変動画像解析方法および変動画像解析システム 日本国
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P20100095 半導体光増幅器の位置合わせ方法及び光出力装置 ヨーロッパ特許庁
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P20070338 成膜方法及び成膜装置 中華人民共和国
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P20100093 半導体光増幅器 ヨーロッパ特許庁
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P20090412 シリコンウェーハおよび半導体装置 台湾
100104141 11-02-08 201200648 12-01-01 16-06-21

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