低消費電力と長期信頼性に優れる相変化メモリ材料の開発


更新:2020/06/16
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特徴・独自性
  • 相変化材料を用いた不揮発性相変化メモリ(PCRAM) が注目されている。現在、Ge-Sb-Te 系材料がPCRAMに使われているが、融点が高いためデータ書込み消費電力が高く、結晶化温度が低いため耐熱性に劣るという問題がある。我々は、融点が低く、かつ耐熱性に優れるGe-Cu-Te 系等の新規相変化材料の開発を行っており( 図1、2 )、材料の相変化機構や消費電力、データ書換え速度等の性能を検証している。
実用化イメージ

新規相変化材料は不揮発性メモリへの適用が想定されますが、この技術を活用したい、また興味がある企業や団体との共同研究を希望しております。

キーワード

研究者

大学院工学研究科
知能デバイス材料学専攻
ナノ材料物性学講座(極限材料物性学分野)

須藤 祐司 教授 
博士(工学)(東北大学)/修士(工学)(東北大学)

Yuji Suto, Professor