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低エラー率と高速書き込みサイクルを実現する大容量ロジック混載用不揮発性メモリの動作実証に世界で初めて成功

国立大学法人東北大学 (総長:里見進/以下、東北大学) 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター及び電気通信研究所の大野英男教授と、東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター及び工学研究科の遠藤哲郎教授のグループは、最先端研究開発支援プログラム(中心研究者:大野英男)において共同事業機関であるNECによる集積回路の試作協力を得て、スピントロニクス技術であるスピン注入磁化反転型磁気トンネル接合 (Magnetic Tunnel Junction; MTJ) デバイスとシリコン技術を組み合わせ、ロジック混載用の1Mビット不揮発性メモリを開発しました。本メモリは、標準シリコンCMOS回路上に東北大学で開発したMTJ試作技術を用いて、つくばイノベーションアリーナ(TIA)において微細スピントロニクスデバイス部分を作製し、原理動作実証に成功したものです。
 今回の成功は、将来のローパワー不揮発性コンピューティング・システムで重要になる不揮発性混載メモリで課題であった書き込みの低エラー率化とその高速化をコンパクトなメモリセルサイズを保ったままで実現できることで、システムLSIの更なる高性能化ならびに超低消費電力化への道を大きく前進させました。



詳細(プレスリリース本文)
https://www.tohoku.ac.jp/japanese/newimg/pressimg/tohokuuniv-press_20130610_02.pdf


[問合せ先]
東北大学 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
支援室 室長 門脇 豊
TEL:022-217-6116
E-Mail:yut-kado*riec.tohoku.ac.jp(* を@に置き換えてください)

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更新: 2013.06.18