低消費電力と長期信頼性に優れる相変化メモリ材料の開発
更新：2020-06-16
特徴・独自性
相変化材料を用いた不揮発性相変化メモリ(PCRAM) が注目されている。現在、Ge-Sb-Te 系材料がPCRAMに使われているが、融点が高いためデータ書込み消費電力が高く、結晶化温度が低いため耐熱性に劣るという問題がある。我々は、融点が低く、かつ耐熱性に優れるGe-Cu-Te 系等の新規相変化材料の開発を行っており( 図１、２ )、材料の相変化機構や消費電力、データ書換え速度等の性能を検証している。産学連携の可能性 （想定される用途・業界）
新規相変化材料は不揮発性メモリへの適用が想定されますが、この技術を活用したい、また興味がある企業や団体との共同研究を希望しております。研究者
大学院工学研究科・工学部 知能デバイス材料学専攻 ナノ材料物性学講座 極限材料物性学分野
須藤 祐司
教授
工学博士
SUTOU Yuji, Professor
キーワード
関連情報
1. Y. Saito、Y. Sutou、J. Koike, "Optical contrast and laser-induced phase transition in GeCu2Te3 thin film" APPLIED PHYSICS LETTERS 102 (2013) 051910-1～5.
2. Y. Sutou, T. Kamada, M. Sumiya, Y. Saito, J. Koike, "Crystallization process and thermal stability of Ge1Cu2Te3 amorphous thin films for use as phase change materials" Acta Mater., 60 (2012) 872-880.
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