• クリーンルーム・ユーティリティのレベルから、材料、装置、プロセス、デバイス、回路、実装、信号処理、計測・評価、信頼性に至るまでの研究に総合的に取り組みつつ、それらを基盤として、イメージセンサの極限性能の追及を行っています。
• 今までに、100 万個を超えるトランジスタ性能の高精度高速計測技術（2004 年）、明暗差5 ケタの単露光撮影を可能とした広ダイナミックレンジCMOS イメージセンサ（2008 年）、毎秒1000 万コマの撮影が行える高速CMOS イメージセンサ（2012 年）などの実用化に成功しています。

デバイスメーカの量産ラインと相互乗り入れ可能な清浄度を有する200mmウェーハのシリコンデバイス流動が行えます。また、現有するクリーンルーム施設設備を利用した要素プロセス検討、高度な各種分析評価が行えます。新規イメージセンサの開発に取り組むことができます。

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