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テラヘルツ帯新材料・新原理半導体デバイスの創出とそのICT応用

更新:2018-12-21
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特徴・独自性
光波と電波の融合域:テラヘルツ波帯での室温動作が可能な集積型電子デバイスおよび回路システムの創出に関する以下の研究開発を行っています。
1.半導体ヘテロ接合構造に発現する二次元プラズモン共鳴という新しい動作原理に立脚した集積型のコヒーレントテラヘルツ波発生・検出デバイス・メタマテリアル回路の研究開発:InP系ヘテロ接合材料による世界最高感度の室温テラヘルツ検出やテラヘルツ単色コヒーレント放射に成功し、イメージングや分光計測に応用しています。
2.新材料:グラフェン(単層グラファイト)および化合物半導体ヘテロ接合材料を用いた極限高速トランジスタ・集積回路の開発: 最先端集積加工・結晶成長技術を駆使し、一貫した研究開発体制で進めています。
3.グラフェンの特異な光電子物性を活用した新原理テラヘルツレーザーの開発:光学励起したグラフェンからのテラヘルツ誘導増幅放出の観測に成功しています。

産学連携の可能性(想定される用途・業界)
これら世界最先端の超ブロードバンドデバイス・回路技術は、次世代超高速無線通信や安心・安全のための新たなイメージング・分光計測システムのキーデバイスとして期待されています。

研究者

電気通信研究所

尾辻 泰一 教授 
工学博士

OTSUJI, Taiichi, Professor

キーワード

関連情報

論文
T. Otsuji et al., "Emission and detection of terahertz radiation using two-dimensional electrons in III-V semiconductors and graphene," IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., vol. 3, No. 1, pp. 63-72, 2013. doi: 10.1109/TTHZ.2012.2235911
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