現代社会が情報化社会と呼ばれて久しいですが、昨今大量のデータ処理や演算の需要が高まり、消費電力も指数関数的に増加しています。これまではSiが半導体デバイスの中心でしたが、これ以上の高性能化や低消費電力化には限界が見え始めつつあります。そこで、カルコゲナイドと呼ばれる周期表の第16族元素を含んだ全く新しい材料によって、既存のSi半導体を凌駕する電子デバイスの実現を目指して研究を行なっています。

カルコゲナイド材料薄膜は、量産化とも相性の良いスパッタリング法にて作製しています。これにより、材料の基礎研究と実用化との障壁を大きく下げることができます。また、従来全く検討されてこなかった材料の組み合わせや、自然界には存在しない準安定な薄膜材料の創製など、これまでにない手法での材料技術の高度化を目指しています。さらに、放射光実験や第一原理計算も取り込みながら、材料の理解も同時に進めています。

• 新規カルコゲナイド材料による電子デバイスの高機能・低消費電力化
• 実用化を見据えた新規電子材料設計・開発
• 放射光や理論計算による電子状態の解明

半導体は、デバイスメーカーだけでなく、半導体製造装置メーカー、半導体素材・材料メーカーと非常に裾野の広い産業です。サプライチェーンの安定化が望まれる中、日本発の新材料技術として社会実装を目指します。

• 硫化スズ（SnS）は、安価で安全な元素からなる太陽電池材料です。SnS太陽光パネルの原材料費は、例えばCIGS太陽電池の1/14です。SnSは通常p型伝導性を示すため、これまではp型SnSとn型CdS等のヘテロ接合によって太陽電池が研究されてきましたが、変換効率は5%に留まっていました。独自に開発したプロセスによりn型SnS薄膜を世界で初めて実現し、SnS太陽電池の高効率化への道を拓きました。

環境にやさしい薄膜太陽電池への応用や、赤外波長領域で用いるフォトダイオードへの応用が期待できます。実用化に向けた観点の研究に興味ある企業様との協働を期待しています。

• 融液からの結晶成長技術を利用した新規の機能性結晶材料を開発することを特徴とした研究を行っている。具体的には、シンチレータ材料・光学材料・圧電材料・熱電材料・金属材料を対象物質として研究を行っている。さらに、独自の結晶成長技術を用いた新規機能性材料のバルク単結晶化や難加工性金属合金の線材化技術などを開発している。

シンチレータや圧電素子等の単結晶が利用されている検出器や光デバイス、電子機器向けの新規材料探索や材料の高品質化に貢献できる。さらに、融液の直接線材化技術を用いた様々な難加工性合金の細線化が可能である。

• Langmuir-Blodgett 法や浸漬法などボトムアップ的手法を基盤技術として利用し、様々なナノ材料の分子構造が示す表面・界面での相互作用を考慮することで、合目的的にナノ構造制御された光電子機能性高分子ハイブリッドナノ材料の開発を行っている。

0.4 nmで膜厚制御可能なSiO2超薄膜、発光型溶存酸素センサー、強誘電性高分子エレクトロニクスデバイスなど。

• 半導体、光触媒、誘電・圧電材料、磁性材料、塗料、化粧品、触媒などの機能性材料に利用するための、ナノ粒子や微粒子を液相で合成する。ナノ粒子や微粒子のサイズ、形態、構造、組成等をきわめて精密に制御し、それらの性質が均一な単分散粒子を調製する。企業が必要とする材料を提供するために、いわゆるテーラーメイドな粒子合成手法を開発している。

透明導電膜用インジウム-スズ酸化物（ITO）ナノ粒子、非鉛圧電アクチエーター用ビスマス系あるいはニオブ系ナノ粒子、誘電材料用チタン酸系ペロブスカイトナノ粒子、次世代光触媒用チタン系酸化物ナノ粒子、など多くの粒子を提供してきた。新規に開発した安価で比較的容易な液相大量合成法（ゲル- ゾル法等）により、粒子製造コストも抑えることができる。