研究シーズ詳細情報（No.405）半導体量子構造の伝導特性制御と超高感度NMR

半導体量子構造の伝導特性制御と超高感度NMR

更新：2020/06/16

前の画像

次の画像

特徴・独自性

GaAs やInSbの量子構造の伝導特性を制御し、核スピンの偏極状態を操作することで、二次元構造やナノ構造に適用できる超高感度NMR技術を確立した。さらに、InSb 量子構造においてアルミナ絶縁膜を用い、理想的なゲート操作を実現した。また、核スピンが感じる雑音特性を周波数依存性も含め測定する一般化された横緩和時間の考え方を提案、実証した。この概念は核スピンを用いるすべての計測に大きな変化をもたらすことが期待される。

実用化イメージ

良好なゲート制御を用いた次世代InSbデバイス。一般化された横緩和時間を利用した様々な核スピン計測、核磁気共鳴。高感度NMR は物性研究への応用が中心であるが、量子情報処理への貢献も見込まれる。

キーワード

高等研究機構先端スピントロニクス研究開発センター

平山祥郎特任教授（研究）
工学博士（東京大学）／工学修士（東京大学）

Yoshiro Hirayama, Specially Appointed Professor(Research)

研究室ウェブサイト

研究室ウェブサイト