固液界面真空プロセスの開発とその応用
更新:2022-06-01
特徴・独自性
様々な物質の液体状態を、高真空環境下で安定化させ、そのマイクロ/ナノレベルの成形技術や診断技術の開発,また,物性測定による新現象の発見,およびそのプロセス応用に取り組んでいる。特に、膜厚が数nmのイオン液体膜の作製や単結晶品質のSiCなどの無機薄膜の高速VLS成長、イオン液体を介した有機半導体、高分子薄膜・結晶材料のプロセスは,世界的にも類を見ない独自技術である。産学連携の可能性 (想定される用途・業界)
wet系プロセスの利点を真空プロセスに取り入れた次世代の半導体プロセスへの応用開発、有機半導体の新しい精製技術の開発,イオン液体を介した蒸着法による再結晶が困難な有機化合物の単結晶の試作など。研究者
キーワード
関連情報
“Laser deposition of nano-ionic liquids and their process applications in a vacuum,” in Ionic Liquid Devices, edited by A. Eftekhari Smart, Materials Series No. 28 (RSC, London, UK, 2018), Chap. 6.p. 136.
DOI: 10.1039/9781788011839
Hikaru Watanabe, Ryoji Takazawa, Riuto Takahashi, Shingo Maruyama and Yuji Matsumoto,
“Nanogels Constituted of Polyurea Filled with an Ionic Liquid as an Electrolyte for Electric Double Layer Transistors”, ACS Appl. Nano Mater. 3, 9610-9615 (2020).
DOI: 10.1021/acsanm.0c02335
丸山伸伍、松本祐司、
“ イオン液体の真空化学プロセス” ,化学工業、69、41-50(2018).
A. Osumi, K. Nakano, N. Sannodo, S. Maruyama, Y. Matsumoto, T. Mitani, T. Kato, Y. Yonezawa, H. Okumura,
“Platinum additive impacts on vapor-liquid-solid growth chemical interface for high-quality SiC single crystal films”, Materials Today Chemistry,16,100266-1-8 (2020).
DOI: 10.1016/j.mtchem.2020.100266
山王堂尚輝、小沼碧海、山口 諒、丸山伸伍,松本祐司、
“フラックスエピタキシー法によるSiC結晶成長” 、J. of Flux Growth、14、18-24 (2019).
前へ
一覧へ
次へ