X線は進行方向を変える（レンズを作る）ことが難しく、ミラーで反射させることで集光させます。このとき、一層の厚さが数nmの極薄多層膜を曲面に沿って精密に膜厚制御されたミラーを用いると、直入射で高反射率が得られます。この原理を用いることで、実験室の光源でも明るく解像度の高い軟X線顕微鏡が実現できます。

軟Ｘ線の反射波長は多層膜の層厚と入射角に依存します。結像ミラーでは曲面に沿って入射角が変わるため、精密な層厚制御なしでは反射する軟Ｘ線の波長が変わり、明るい顕微鏡が実現できません。

• 速度可変シャッター機構を使ったイオンビームスパッタリング成膜による精密膜厚分布制御成膜法
• ４枚の直入射ミラーで反射波長を一致させた実験室光源を用いた軟X線顕微鏡
• 精密膜厚分布制御成膜法により、基板面内で反射波長が連続的に変化する硬X 線ポリクロメーターの実現（放射光施設内の白色ビームラインでの応用）

収差が小さく明るい軟Ｘ線顕微鏡を実現できます。生物細胞の内部構造の観察や軟X線露光装置に用いるマスクの検査等の用途への適用が期待されます。

• 光センサや光学系の設計等、光工学を基礎として、機械の運動測定やレーザーを用いた分光や非接触測定などの技術を研究しています。また、半導体微細加工を利用して、集積型のマイクロ光センサ、マイクロ機械を組み合わせた光スキャナー、光通信用のスイッチなどの可変光デバイスを研究しています（光MEMS）。

光学設計、光計測産業、半導体マイクロマシニングおよびMEMS などに関連した産業などにおける応用可能性があります。

高熱電効率なMg2Sn系熱電材料
https://www.t-technoarch.co.jp/data/anken/T20-641.pdf

開発したMg2Sn単結晶は、多結晶よりも電気伝導率が高いだけでなく熱伝導率が低い点で優れている。

• 開発したMg2Sn 単結晶にはMg空孔欠陥が含まれています。このMg 空孔欠陥は、熱伝導率を効果的に低下する一方で、高い電気伝導率を維持します。これにより、熱電性能が飛躍的に向上し、従来報告されていた多結晶の性能を超えました。その他のMg 化合物単結晶でも、Mg 空孔欠陥を導入することで高い熱電性能を実現できると期待されます。

身の回りで使用されずに大気中に放出されている熱エネルギーを用いて発電することにより、省エネルギー化と地球温暖化ガスの排出抑制につながります。

• 従来の液相における材料合成では、溶媒に溶解する原料を大前提としているために、材料選択性が限られるだけでなく、洗浄・廃棄物など様々な問題があります。原料が溶媒に溶解しない物質であれば、原料選択性の広がりによりプロセッシングの枠が格段に広がります。例えば、金属原子と酸素原子で構成された安価な酸化物が原料に利用できれば、環境負荷とコストの低減できる可能性があります。従来にない革新的なサステナブルプロセッシングにより、金属・有機・無機を横断する様々な新しい材料を作成してきました。

これまでに多くの産学官連携（JST、NEDO）を推進し、高性能触媒や実装用途等の廃棄物フリーで室温で大量合成可能な金属やセラミックスナノ材料及びそれらのナノコンポジット材料のサステナブルプロセッシングを実現してきました。

• 材料純化、結晶成長、結晶加工、電極形成、検出器製作を一貫して行い、化合物半導体を用いた放射線検出器の開発を行っています。特に化合物半導体の一つである臭化タリウム（TlBr）に着目し研究を行っています。TlBr 検出器は非常に高い検出効率を持ち、PET やSPECT 等の核医学診断装置やガンマ線CT、産業用X 線CT、コンプトンカメラ等への応用が可能です。

化合物半導体成長技術はシンチレーション結晶育成、X 線フラットパネルセンサー用直接変換膜製作へ応用が可能です。これらの結晶成長・検出器製作技術を産業界で活用したい企業や団体との共同研究を希望します。

• GaAs やInSbの量子構造の伝導特性を制御し、核スピンの偏極状態を操作することで、二次元構造やナノ構造に適用できる超高感度NMR技術を確立した。さらに、InSb 量子構造においてアルミナ絶縁膜を用い、理想的なゲート操作を実現した。また、核スピンが感じる雑音特性を周波数依存性も含め測定する一般化された横緩和時間の考え方を提案、実証した。この概念は核スピンを用いるすべての計測に大きな変化をもたらすことが期待される。

良好なゲート制御を用いた次世代InSbデバイス。一般化された横緩和時間を利用した様々な核スピン計測、核磁気共鳴。高感度NMR は物性研究への応用が中心であるが、量子情報処理への貢献も見込まれる。