東北大学 研究シーズ集

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システム変革を鑑みた半導体材料から素子応用に関する 研究開発

更新:2021-08-03
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特徴・独自性

(1)光通信用半導体レーザ:1981年、通信波長1.55μmでの単一縦モードでの室温連続発振。ファイバ当たりの伝送容量を25千倍の10Tb/sに増大。(2)窒化物半導体青色LED:InGaAlN提案(1987年)、発光材料InGaN単結晶薄膜成長(1989年)。本技術は市販の青色LED作製の標準技術。高周波・高出力トランジスタ:逆HEMT作製。車用トランジスタ実現のためGaN基板開発中。

産学連携の可能性 (想定される用途・業界)

光通信用分布帰還型レーザ作製技術:サブミクロン周期構造作製、レーザの作製プロセス・素子評価・シミュレーション/窒化物半導体関連技術:有機金属気相成長、結晶評価、発光素子‧太陽電池‧電子素子の作製と評価

研究者

未来科学技術共同研究センター 開発研究部 先進ロジスティクス交通システム研究プロジェクト

松岡 隆志 教授 
工学博士

MATSUOKA Takashi, Professor

キーワード

関連情報

論文
1. CW Operation of DFB-BH GalnAsP/lnP Lasers in 1.5 µm Wavelength Region (Electron. Lett., 18, 1982,  27)
2. Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N (Inst. Phys. Conf. Ser., 106, 1990, 141)
3. Wide-Gap Semiconductor lnGaN and lnGaAlN Grown by MOVPE (J. Electronic Mat., 21,1991, 157)
4. Optical Band-Gap Energy of Wurtzite lnN (Appl. Phys. Lett., 81, 2002, 1246)
5. N-Polarity GaN on Sapphire Substrate Grown by MOVPE (Phys. Stat. Sol. (b), 243, 2006, 1446)
6. N-Polar GaN/AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor Formed  on Sapphire Substrate with Minimal Step Bunching (Appl. Phys. Express, 11, 2018, 015503)
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