システム変革を鑑みた半導体材料から素子応用に関する 研究開発
更新：2021-08-03
特徴・独自性
(1)光通信用半導体レーザ：1981年、通信波長1.55μmでの単一縦モードでの室温連続発振。ファイバ当たりの伝送容量を25千倍の10Tb/sに増大。(2)窒化物半導体青色LED：InGaAlN提案（1987年）、発光材料InGaN単結晶薄膜成長（1989年）。本技術は市販の青色LED作製の標準技術。高周波・高出力トランジスタ：逆HEMT作製。車用トランジスタ実現のためGaN基板開発中。産学連携の可能性 （想定される用途・業界）
光通信用分布帰還型レーザ作製技術：サブミクロン周期構造作製、レーザの作製プロセス・素子評価・シミュレーション／窒化物半導体関連技術：有機金属気相成長、結晶評価、発光素子‧太陽電池‧電子素子の作製と評価研究者
未来科学技術共同研究センター 開発研究部 先進ロジスティクス交通システム研究プロジェクト
松岡 隆志
教授
工学博士
MATSUOKA Takashi, Professor
キーワード
関連情報
1. CW Operation of DFB-BH GalnAsP/lnP Lasers in 1.5 µm Wavelength Region (Electron. Lett., 18, 1982, 27)
2. Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N (Inst. Phys. Conf. Ser., 106, 1990, 141)
3. Wide-Gap Semiconductor lnGaN and lnGaAlN Grown by MOVPE (J. Electronic Mat., 21,1991, 157)
4. Optical Band-Gap Energy of Wurtzite lnN (Appl. Phys. Lett., 81, 2002, 1246)
5. N-Polarity GaN on Sapphire Substrate Grown by MOVPE (Phys. Stat. Sol. (b), 243, 2006, 1446)
6. N-Polar GaN/AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor Formed on Sapphire Substrate with Minimal Step Bunching (Appl. Phys. Express, 11, 2018, 015503)
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