電子顕微鏡で見えない微細な不純物クラスターや欠陥の分析と機能の解明
更新：2021-07-07
特徴・独自性
金属から半導体・絶縁体まで、原子１個１個を３次元実空間で原子スケールの分解能でマッピングできるレーザー３次元アトムプローブ法と、原子１個が格子点から抜けた単原子空孔から空孔集合体までを非常に高い感度で検出できる陽電子消滅法を組み合わせて、従来の分析方法では検出困難な、微細なクラスターや欠陥を分析し、それらが材料にあたえる影響や機能の解明を行っている。産学連携の可能性 （想定される用途・業界）
ナノ構造を制御した新規材料開発、構造材料の劣化機構の解明から半導体デバイス製造の歩留まり低下の原因解明、量子デバイス開発まで幅広い分野について上記解析技術を活用したい企業や団体と共同研究を希望する。研究者
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K. Inoue, A. K. Kambham, D. Mangelinck, D. Lawrence, D. J. Larson "Atom-probe-tomographic Studies on Silicon-Based Semiconductor Devices" Microscopy Today Vol. 20 Issue.5 (2012) 38
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