システム変革を鑑みた半導体材料から素子応用に関する 研究開発


更新:2021/08/03
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特徴・独自性
  • (1)光通信用半導体レーザ:1981年、通信波長1.55μmでの単一縦モードでの室温連続発振。ファイバ当たりの伝送容量を25千倍の10Tb/sに増大。(2)窒化物半導体青色LED:InGaAlN提案(1987年)、発光材料InGaN単結晶薄膜成長(1989年)。本技術は市販の青色LED作製の標準技術。高周波・高出力トランジスタ:逆HEMT作製。車用トランジスタ実現のためGaN基板開発中。
実用化イメージ

光通信用分布帰還型レーザ作製技術:サブミクロン周期構造作製、レーザの作製プロセス・素子評価・シミュレーション/窒化物半導体関連技術:有機金属気相成長、結晶評価、発光素子‧太陽電池‧電子素子の作製と評価

キーワード

研究者

未来科学技術共同研究センター
開発研究部
窒化物半導体の結晶成長と光デバイス・電子デバイスの研究

松岡 隆志 特任教授(研究) 
工学修士(北海道大学)/工学博士(北海道大学)

Takashi Matsuoka, Specially Appointed Professor(Research)