• III-V族化合物半導体では電子スピンに内部有効磁場が働く。この効果は、外部磁場の替わりに利用できることから、電気的スピン生成や電気的スピン制御が可能になると期待されている。我々は、III-V族化合物半導体ヘテロ接合における内部有効磁場を設計し、電気的スピン生成および電気的スピン制御、さらにスピン緩和を完全に抑制することのできる永久スピン旋回状態に関する研究を行っている。また時間分解スピン測定手法を用いることで電子スピン緩和やスピン軌道相互作用の評価に向けた基盤研究にも取り組んでいる。

電気的なスピン生成・制御により、省電力デバイスの実現が期待されます。将来的に、半導体産業でスピン自由度を活用するため、スピン緩和を抑制する技術が必要です。このような技術を活用した共同研究を希望します。

• スピントロニクス
• スピン軌道相互作用
• スピン生成
• スピン制御