省電力デバイスとして研究開発が行われているスピントロニクス材料に用いられている反強磁性合金の研究や、性能向上が期待できるハーフメタルであるホイスラー合金材料の探索研究（完全補償型フェリ磁性材料も含む）を行っています。電子状態は放射光を用いて共鳴非弾性X線散乱(RIXS)とＸ線磁気円二色性(XMCD)で測定し、理論計算との比較から構造と機能の推定を行います。

反強磁性合金やホイスラー合金の電子状態の研究は少なく、放射光を用いることで直接的に測定ができるようになりました。

• 理論計算で予測された材料系について金属学的な知見を基にして材料探索。
• 高周波溶解法、アーク溶解法、液体急冷法等を駆使して反強磁性材料およびホイスラー合金材料の結晶試料を作製。
• 放射光を用いた磁性材料の電子状態の直接的な測定。
• 測定した電子状態から材料本来の構造と機能の理解。
• 中性子ビームを用いた磁性材料分析についての知見。

反強磁性合金やホイスラー合金の電子状態から、スピントロニクスデバイスに適用した時に期待される特性と課題を推測することで、省電力デバイスの特性向上に貢献できます。

• 金属物性
• 磁性材料
• 反強磁性
• フェリ磁性
• 完全補償型
• ハーフメタル
• ホイスラー
• 高分極率
• スピントロニクス
• 放射光
• 電子状態
• XMCD
• Ｘ線磁気円二色性
• RIXS
• 中性子