カーボンニュートラル社会の実現に向け、次世代パワー半導体（SiC/GaN）の性能を極限まで引き出す実装技術を研究しています。素材設計からデバイス構造、高度な冷却技術、信頼性評価までを統合した「一気通貫」の研究体制を構築。世界最高水準の出力密度を実現する革新的な「両面冷却構造」や、リード線レスの「Power-CSP」技術を開発し、エネルギー損失を最小化する次世代電源システムの創出を目指しています

従来の片面冷却構造に対し、独自の「両面冷却技術」や3次元配線の導入で、体積あたりの出力密度を約3倍に向上させています。また、配線インダクタンスを劇的に低減し、高速動作時のサージ電圧と損失を大幅に抑制可能です

• 実務に基づく社会実装力：企業での開発経験を背景とした、極めて実用性の高いパッケージング技術。
• 垂直統合型アプローチ：材料選定から回路設計、ナノテラス等を活用した評価までを同一拠点で完結させる研究スタイル。
• 世界トップクラスの冷却・小型化技術：NEパワー・エレクトロニクス・アワード2024を受賞した、理論限界に迫る実装技術。
• 次世代WBGへの最適化：SiCやGaNの特性を損なわない、高周波・高温動作に耐えうる新構造パッケージングの確立。

EV用インバータ、再エネ変換器、データセンター電源への適用を想定しています。素材開発からプロトタイプ実証までの共同研究を通じ、新産業創出と脱炭素化を共に推進する企業との連携を求めています

• パワーモジュール
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• 低インダクタンス
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