相変化材料を用いた不揮発性相変化メモリ（PCRAM）が注目されています。現在、Ge-Sb-Te 系材料がPCRAM に使われていますが、融点が高いためデータ書込み消費電力が高く、結晶化温度が低いため耐熱性に劣るという問題があります。私たちは、融点が低く、かつ耐熱性に優れるGe-Cu-Te 系等の新規相変化材料の開発を行っており（図1、2）、材料の相変化機構や消費電力、データ書換え速度等の性能を検証しています。

新規相変化材料は不揮発性メモリへの適用が想定されますが、この技術を活用したい、また興味がある企業や団体との共同研究を希望しています。

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