新硫化技術及び同技術で作製するn型SnS薄膜と太陽電池


更新:2024/12/23
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概要

新硫化技術及び同技術で作製するn型SnS薄膜と太陽電池
https://www.t-technoarch.co.jp/data/anken_h/T20-154.html

特徴・独自性
  • SnS(硫化スズ)を用いた薄膜太陽電池は以下特徴がある
  • ①Cd、Teのような有害元素を含まない
  • ②安価な元素(Sn及びS)のみで構成される(原料コストはシリコン系の1/7、CdTeの1/2、CIGSの1/14)
  • ③ 2-3μmの厚さで光吸収が可能(シリコン系~500μm)
  • ④ホモp-n接合で変換効率25.3%が実現できると報告されている
  • しかしながら高効率のホモp-n接合を有するSnS太陽電池を実現するためには、技術的に作製出来なかったn型のSnS薄膜の実現が必要であった。本発明は今まで作製出来なかったn型SnS薄膜を硫黄プラズマを用いた新規硫化技術を用いて世界で初めて実現した。
  • このn型SnS薄膜を用いることで今後ホモ接合のSnS太陽電池を実現することが期待される。
実用化イメージ

・太陽電池、フォトディテクター
・新規硫化技術を用いた硫化物の作成(次ページ)

キーワード

研究者

多元物質科学研究所

鈴木 一誓 講師 
修士(工学)(大阪大学)/博士(工学)(大阪大学)

Issei Suzuki, Lecturer