新硫化技術及び同技術で作製するn型SnS薄膜と太陽電池
https://www.t-technoarch.co.jp/data/anken_h/T20-154.html

S nS（硫化スズ) を用いた薄膜太陽電池は以下特徴があります。
① Cd、Te のような有害元素を含みません。
②安価な元素（Sn およびS) のみで構成されます（原料コストはシリコン系の1 / 7 、C d T e の1 / 2 、C I G S の1/14)
③2-3μ m の厚さで光吸収が可能です（シリコン系~500μ m)
④ホモp-n 接合で変換効率25.3% が実現できると報告されています。
　しかしながら、高効率のホモp-n接合を有するSnS 太陽電池を実現するためには、技術的に作製出来なかったn 型のSnS 薄膜の実現が必要でした。本発明は、今まで作製出来なかったn 型SnS 薄膜を硫黄プラズマを用いた新規硫化技術を用いて世界で初めて実現しました。
　このn 型SnS 薄膜を用いることで、今後はホモ接合のSnS 太陽電池を実現することが期待されます。

以下のような社会実装への応用が想定されます。
・太陽電池、フォトディテクター
・ 新規硫化技術を用いた硫化物の作成

• 発明案件（特許等）
• n型SnS
• 太陽電池
• 新硫化技術
• 硫黄プラズマ
• 高効率
• 軽くて薄い